사 업 보 고 서

                                   (제 22 기)

【 대표이사 등의 확인 】

대표이사 등의 확인서_230316

I. 회사의 개요

1. 회사의 개요

가. 연결대상 종속회사 개황
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

나. 연결대상회사의 변동내용
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

다. 회사의 법적ㆍ상업적 명칭
당사의 명칭은 "영창케미칼주식회사"이며, 영문으로는 YOUNGCHANG CHEMICAL. CO., LTD.(약 호 YCCHEM)라 표기한다.

라. 설립일자 및 존속 기간
당사는 2001년 07월 28일에 법인 설립되었으며, 2022년 7월 14일 코스닥 시장에 등록되어 주식의 거래가 이루어지고 있습니다.

마. 본사의 주소, 전화번호, 홈페이지 주소

바. 중소기업 등 해당 여부

[중소기업 확인서]

중소기업확인서

[벤처기업 확인서]

벤처기업확인서

사. 회사의 주권상장(또는 등록ㆍ지정)여부 및 특례상장에 관한 사항

아. 주요 사업의 내용 및 향후 추진하려는 신규사업

당사는 2001년 설립과 함께 반도체 공정 재료 사업에 뛰어들었고, 최첨단 분야인 반도체 공정 재료 부문에서 특수 Surfactant와 polymer를 활용하여 ArF 공정 시 패턴 쓰러짐을 방지하는 용액 개발에 성공하여 상용화하였습니다. 축적된 기술을 바탕으로 2016년에는 EUV 공정용 패턴 쓰러짐 방지 용액과 현상액을 개발하였습니다. 또한 현상력 향상과 Profile 개선 효과가 있는 PHOTO Mask 현상액(Developer), Capacitor의 쓰러짐 방지와 세정력 향상을 위한 세정액, 높은 두께 및 고해상도가 가능한 다양한 KrF, i-Line Photoresist, BARC, SOC, CMP Slurry, Thinner류에 이르기까지 반도체 재료의 다변화와 신소재 제품 개발에 진력하여 한국 반도체 산업의 발전과 혁신에 이바지하고 있습니다.

상세한 사항은「Ⅱ. 사업의 내용」을 참조하시기 바라며, 정관에 규정된 목적사업은 다음과 같습니다.

자. 신용평가에 관한 사항
당사의 최근 사업연도 신용평가에 관한 내용은 아래와 같습니다.

신용평가회사의 신용평가체계 및 등급부여 의미

2. 회사의 연혁

가. 회사의 주요 연혁

나. 회사의 본점 소재지 및 그 변경

다. 경영진 및 감사의 중요한 변동

라. 최대주주의 변동
설립 이후, 2022년 사업보고서 제출일 현재까지 당사의 최대 주주는 이성일이며, 최대주주의 주식수 및 지분율 변동 현황은 다음과 같습니다.

마. 상호의 변동
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다. 사업보고서 제출일 현재 제22기 정기주주총회 안건으로 정관 일부 변경(상호 변경)이 안건으로 상정되어 있습니다.

☞ 제22기 정기주주총회 안건에 대한 사항은 당사가 2023년 3월 9일 금융감독원 전자공시시스템(https://dart.fss.or.kr/)에 공시한 '주주총회소집공고' 등을 참고하시기 바랍니다.

바. 회사가 화의, 회사정리절차 그 밖에 이에 준하는 절차를 밟은 적이 있거나 현재 진행중인 경우 그 결과
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

사. 회사가 합병 등을 한 경우 그 내용
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

아. 회사의 업종 또는 주된 사업의 변화
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

3. 자본금 변동사항

가. 자본금 변동현황

4. 주식의 총수 등

가. 주식의 총수
당사는 정관상 발행할 주식의 총수는 100,000,000 주이며 2022년 12월 31일 현재 발행된 주식의 총수는 보통주 10,110,545 주 입니다.

나. 자기주식 취득 및 처분 현황
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

다. 자기주식 직접 취득ㆍ처분 이행현황
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

라. 자기주식 신탁계약 체결ㆍ해지 이행현황
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

마. 종류주식(명칭) 발행현황
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

바. 발행 이후 전환권 행사가 있을 경우
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

5. 정관에 관한 사항

가. 정관의 최근 개정일
당사의 최근 정관 개정일은 2022년 05월 31일이며, 임시 주주총회에서 정관 일부 변경의 건 의안이 원안대로 승인되었습니다. 사업보고서 제출일 현재 제22기 정기주주총회 안건으로 정관 일부 변경(상호 변경)이 안건으로 상정되어 있습니다.

☞ 제22기 정기주주총회 안건에 대한 사항은 당사가 2023년 3월 9일 금융감독원 전자공시시스템(https://dart.fss.or.kr/)에 공시한 '주주총회소집공고' 등을 참고하시기 바랍니다.

나. 변경된 정관 이력

II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

가. 사업의 내용
영창케미칼 주식회사(이하 '당사')는 2001년 설립과 함께 반도체 공정 재료 사업에 뛰어들어 적극적으로 R&D 투자, 핵심 기술 인재 육성, 제조 기반의 투자 확대를 수행해 왔습니다. 그 결과 최첨단 분야인 반도체 공정 재료 부문에서 특수 Surfactant와 polymer를 활용하여 ArF 공정 시 패턴 쓰러짐을 방지하는 용액 개발에 성공하여 상용화하였습니다. 축적된 기술을 바탕으로 2016년에는 EUV 공정용 패턴 쓰러짐 방지 용액과 현상액을 개발하였습니다. 또한 현상력 향상과 Profile 개선 효과가 있는 PHOTO Mask 현상액(Developer), Capacitor의 쓰러짐 방지와 세정력 향상을 위한 세정액, 높은 두께 및 고해상도가 가능한 다양한 KrF, i-Line Photoresist, BARC, SOC, CMP Slurry, Thinner류에 이르기까지 반도체 재료의 다변화와 신소재 제품 개발에 진력하며 한국 반도체 산업의 발전과 혁신에 이바지하고 있습니다. Slurry 및 Wet Chemical 소재의 생산능력 확보를 위해 성주일반산업단지에 2020년부터 2022년까지 4,818평 부지 규모에 200억원 가량의 설비투자를 진행하였으며, 이를 통해 기존 노광 공정용 소재와 더불어 후공정 소재까지 아우르는 '토탈 솔루션' 기업으로 진화할 것입니다.

(1) Photo 소재 (Photochemical Materials)

포토레지스트 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산발생제에서 산이 형성되고 이 산이 포토레지스트 수지의 산 촉매 반응을 야기합니다. 이때 포지티브 포토레지스트 조성물은 탈보호 반응이 일어나고, 네거티브 포토레지스트를 이용할 경우에는 가교 반응이 일어나게 되며 이런 반응을 통해서 노광된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다. 또한, 사용되는 노광 광원의 파장이 짧아질수록 형성할 수 있는 패턴의 해상도는 미세화하게 되며, 반도체 생산에 사용되는 노광 광원은 수은 램프의 i-line(365nm), KrF laser(248nm), ArF laser(193nm)로 그 파장이 감소하고 있는 실정이며, 이와 더불어 노광 광원 기술의 발전에 맞추어 투과도가 좋고 에칭 저항성, 감도 및 해상도가 우수한 포토레지스트의 개발도 진행되고 있습니다.

당사에서는 반도체 제조에 사용되는 photo masking용 i-Line Negative photoresist를 국내 최초로 양산 성공하였으며, 기존 제품을 업그레이드하여 DoF(Depth of Focus), resolution, vertical profile등 개선된 제품을 개발하여 글로벌 반도체 제조사에 공급을 하고 있습니다. 당사가 개발한 다양한 Photoresist 소재는 masking용, etching blocking용, implant용, side wall용, lift-off용 등 여러 공정에 적용되고 있습니다.

아래 그림에서 보듯이 Photoresist는 다양한 구성 성분으로 이루어져 있으며, 가장 핵심이 되는 기본 골격을 형성하는 성분인 Base Polymer가 중요한 역할을 담당합니다.

SOC (Spin on Carbon Hardmask)는 반도체 고집적화를 위하여 식각하여 미세 패턴을 형성하는 공정에서 식각이 진행됨에 따라 점차로 얇아진 포토레지스트 패턴을 이용하여 피식각층을 식각할 수 없게 되어 포토레지스트층과 피식각층 사이에 식각 내성이 우수한 하드마스크 막질을 도입하여 원하는 패턴을 형성하는 공정에 사용하는 제품입니다. 당사는 식각 내성이 우수한 고에치내성용, 좁은 패턴의 골 부분을 매워 에치 균일성을 향상시켜 주는 Gapfill용, 단차가 큰 웨이퍼 면을 균일하게 할 수 있는 평탄화용 등 다양한 목적의 완제품을 생산하여 공급하고 있습니다.

(2) Wet Chemical

Developer(현상액)은 반도체 제조공정 중 리소그래피 공정에서 자외선에 노출된 포토레지스트의 노광/비노광 영역을 선택적으로 용해함으로써 패턴 형성하는 기능을 가진 제품입니다. Positive 방식은 마스크에 의해 빛에 노출된 부분이 현상액에 녹기 쉽게 화학구조가 변하는 것입니다. 현상액을 투입해 노광(Exposure) 과정에서 빛을 받은 부분을 제거합니다. Negative 방식은 빛에 노출된 부분의 폴리머구조가 더욱 견고해져 현상액에 녹지 않게 되므로  빛을 받지 못한 부분이 현상액으로 제거됩니다.
이렇게 원하는 패턴만 남은 PR층은 식각(Etching)과정을 거쳐서 PR이 덮여 있지 않는 부분의 증착된 물질을 제거합니다. 증착된 물질이 원하는 모양으로 패터닝 되면 그 위에 도포되어 있던 PR층마저 제거하여 원하는 패턴의 증착 물질만 남도록 합니다.

Etchant는 식각액, 부식액으로도 불리며 에칭 기술을 이용하여 웨이퍼 위에 증착된 박막의 일부분을 선택적으로 제거하기 위해 사용됩니다. 에천트는 특징에 따라 구리 에천트, 알루미늄 에천트, 크로뮴 에천트, 니켈 에천트 등이 있습니다. 또 에천트는 화학약품을 이용하여 에칭을 하는 습식 에칭(Wet Etching)과 이온화한 가스를 사용하여 에칭을 하는 건식 에칭(Dry Etching)이 있습니다. 당사의 식각액은 반도체 제조공정 중 습식식각(Wet Etching) 공정에 사용되는 제품입니다.

(3) PR용 Rinse

포토리소그래피 공정에서 발생되는 결함의 원인은 현상(Develop) 공정에서 발생되는오염물 및 현상 공정[Developer 분사 DI(Deionized water, 초순수) 분사 Spin dry 시에 패턴 면에 작용하는 DI의 높은 표면장력에 의해 생성되는 것으로, 후속 공정에 영향을 주어 수율을 떨어뜨리고 제조 비용의 상승을 가져옵니다. 이를 해결하기 위하여 DI 분사 후 spin dry 전에 패턴 면에 작용하는 힘을 낮출 수 있는 적합한 chemical을 적용한 rinse 공정을 도입함으로써 포토레지스트 공정에서 생성되는 패턴 defect과 collapse 결함 등을 개선할 수 있으며, 이는 생산성 증대 및 비용 절감을 가져다줄 수 있습니다.

당사는 2004년 ArF & KrF 포토레지스트용 rinse를 세계 최초로 개발하여 양산화하였고, 2015년 residue defect제거를 포함한 특수 목적의 ArF Immersion 공정용 risne를 세계 최초로 개발하여 양산화하였습니다. 또한 2021년 EUV rinse를 개발하였고 2023년 현재 국내 소자업체와 상용화 진행 중에 있습니다.

(4) 기타

(가) CMP slurry 소재

반도체 디바이스의 고밀도화, 미세화 및 배선 구조의 다층화에 따른 단차 증가로 인해 평탄화 공정이 필요성이 높아지고 제조공정의 핵심기술로 부각되고 있다. 반도체 제조 공정의 4~5%의 사용 비중을 차지하며 현재 외산 비중이 높아 국산화가 요구되는 소재산업입니다. 당사는 2016년 절연막 슬러리 개발을 시작으로 금속막 슬러리 등의 CMP 공정용 슬러리 제품을 생산 및 판매하고 있으며 현재 다양한 반도체 공정용 신규 제품 개발을 통한 포트폴리오를 강화하며, 안정된 품질에 힘쓰고 있습니다.

(나) Wafering process chemical

반도체 집적회로의 핵심 재료인 웨이퍼는 원기둥 형태로 성장시킨 결정질 실리콘 주괴(ingot)를 원판 모양으로 얇게 깎아내어 만듭니다. 이렇게 만들어진 주괴를 웨이퍼 형태로 가공하기 위해 절삭공구(wire-saw)가 사용되며 가공 과정에서 주괴와 절삭공구의 마찰에 의해 발생되는 열을 감소시키기 위해 절삭유가 사용되고 있습니다.

2. 주요 제품 및 서비스

가. 주요 제품

(1) Photo 소재 (Photochemical Materials)

(가) 포토레지스트 (Photoresist)

반도체(Semiconductor)란 원판 형태의 실리콘 웨이퍼(Wafer) 위에 반도체 집적회로(Semiconductor integrated circuit)을 만들어 다양한 기능을 처리하고 저장할 수 있도록 한 것을 말합니다. 반도체의 집적도가 경쟁적으로 증가하면서 구성하는 단위 소자들 역시 더 작게 만들어야 하기 때문에 이를 구현하는 공정 기술이 매우 중요합니다. 최근에는 아래 그림과 같이 두 층 사이에 하드마스크 층(hardmask layer)이라는 유기물 층을 형성시켜 후속으로 이어지는 여러 차례의 식각 과정을 견디고 미세패턴이 만들어질 수 있도록 합니다. 반도체 회로가 그려진 후에는 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거해 내는 식각(Etching) 공정이 이어집니다.

[반도체 공정과 생산된 반도체 예]

당사는 나노미터 급 고집적 반도체 제조에 필수적인 포토레지스트 조성물을 생산하여 공급하고 있습니다. 당사는 365nm 파장에 대해 필름 두께가 0.1um에서 6.0um인 공정 적용을 위한 i-Line Photoresist 제품과 248nm 파장에 대해 필름 두께가 0.30um에서 16.0um 공정 적용을 위한 KrF Photoresist 제품을 양산 공급하고 있습니다. 각각의 파장별 제품군에서 Positive와 Negative type Photoresist를 모두 제조 가능하며, 최신 기술을 포함한 다양한 Packaging Processes를 위한 Photoresist를 개발하고 상용화했습니다. Packaging Processes용 Photoresist는 Wafer Level RDL, TSV를 포함한 광범위한 생산 기술에 사용할 수 있습니다.

[photolithography process flow]

반도체 패턴 형성 과정은 아래 그림과 같이 진행됩니다. 실리콘 기판 위로 카본 계열과 하드마스크가 올라가고 가장 위에 PR이 도포되며, 노광작업 후 실리콘과 카본, 기판 패턴을 단계적으로 식각한 뒤 막 찌꺼기를 없애는 애칭 공정까지 마치면 최종 패턴이 완성됩니다.

[반도체 패턴 형성 과정]

(나) SOC (Spin On Carbon Hardmask)

하드마스크 공정은 포토레지스트의 부족한 식각 내성을 확보할 수 있는 하드마스크 막질을 포토레지스트 층의 아래에 형성하여 포토레지스트 패너닝 한 후 포토레지스트의 패턴을 이용하여 원하는 피식각층을 식각하는 공정입니다. 반도체의 선폭이 미세화됨에 따라, 70nm 이하의 패턴을 구현함에 있어, 기존처럼 두꺼운 두께(>300nm)의 포토레지스트(PR)를 사용하게 되면, 높이/바닥 비율(aspect ratio)이 높아져서 패턴이 붕괴됩니다. 패턴의 크기가 작아짐에 따라 포토레지스트 패턴의 쓰러짐 현상을 방지하기 위하여 포토레지스트의 두께가 점점 얇아지고, 얇아진 포토레지스트 패턴을 이용하여 피식각층을 식각할 수 없게 되어 포토레지스트층과 피식각층 사이에 식각 내성이 우수한 하드마스크 막질을 도입하였습니다.

[미세공정에 따른 패턴 붕괴현상]

하드마스크 막은 화학기상증착(Chemical vapor deposition: CVD) 방법 또는 스핀 온 코팅(Spin On Coating) 방법으로 제조됩니다. CVD법에 의해 제조된 ACL이라는  하드마스크 막은 증착기의 사용으로 인한 초기 비용의 증가와 공정 시간의 증가, 파티클 문제 등의 단점을 보유하고 있습니다. 스핀 온 코팅법에 의한 하드마스크 공정은 CVD법에 비해 초기 투자비용이 적고, 코팅성이 균일하고, 코팅 두께를 쉽게 제어할 수 있고, 공정시간을 단축할 수 있는 등의 장점을 보유하고 있습니다.

[cvd와 spin coating 비교]

(2) Wet chemical

현상액(Developer)은 반도체 제조공정 중 리소그래피 공정에서 자외선에 노출된 포토레지스트의 노광/비노광 영역을 선택적으로 용해함으로써 패턴을 형성하는 기능을 가진 제품입니다. 이와 같이 형성된 포토레지스트 패턴은 이후 식각, 임플란트 공정 등의 마스크로 사용되거나 컬러필터와 같이 색상을 구현하는 역할을 하게 됩니다.

반도체 집적회로 등의 미세한 회로 패턴을 형성하는 방법은 다음과 같습니다. 먼저 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막의 상부에 바인더 수지와 광중합성 모노머, 광중합 개시제, 유기용제 등을 포함하는 레지스트 조성물을 일정한 두께로 도포하고, 베이크(bake)하여 레지스트 막을 형성 다음으로, 형성된 레지스트 막의 상부에 소정 회로 패턴을 가지는 마스크를 장착한 다음, UV, E-빔, X-레이 등의 전자빔을 조사하여, 빛이 조사된 노광 부분과 빛이 조사되지 않은 비노광 부분 사이에 현상액에 대한 용해도 차이를 생기게 한 다음, 현상액을 사용하여 노광 또는 비노광 부분을 현상함으로써 목적하는 형상의 레지스트 패턴을 형성하고, 형성된 레지스트 패턴에 의하여 노출된 절연막 또는 도전성 금속막을 에칭하여 회로 패턴을 얻을 수 있습니다.
여기서, 현상액을 이용한 레지스트 현상 공정은 원하는 패턴을 정밀하게 형성하기 위한 중요한 단계로서, 사용되는 현상액의 종류, 알칼리도, 포함되는 계면활성제의 종류 및 함량 등에 따라 레지스트의 패턴, 선폭, 용해 성능 등이 달라집니다. 이와 같은 현상액으로는 무기 및 유기 알칼리계 수용액에 비이온계 또는 이온계 계면활성제를 첨가한 조성물이 일반적으로 사용되고 있습니다.

[포토리소그래피 공정]

반도체의 웨이퍼(Wafer)에 형성된 패턴을 따라 하부 막을 제거하여 미세 패턴을 형성하는 공정을 에칭공정이라고 합니다. 웨이퍼의 구경이 커질수록 더 많은 집적회로 칩을 생산할 수 있으며, 웨이퍼의 부위별로 Chip, Scribe Line, TEG(Test Element Group), Edge Die, Flat Zone 이렇게 크게 5가지로 나눌 수 있습니다. Chip은 웨이퍼 위 전자회로가 새겨진 얇고 작은 조각으로 IC칩이 됩니다. Scribe Line은 전자회로가 없고 웨이퍼를 각각의 칩으로 분리하는 선으로 Chip 사이의 경계가 됩니다. TEG(Test Element Group)는 칩의 실제 특성을 테스트하기 위해 패턴을 구현한 부분이며, edge die는 웨이퍼의 가장자리 부분입니다. Flat Zone은 눈으로 식별이 불가능한 웨이퍼의 결정구조를 판별하기 위해 웨이퍼의 한 부분을 평평하게 만들었는데 이 부분을 Flat Zone이라고 합니다. 이러한 반도체의 웨이퍼에서 불필요한 부분(산화물)을 제거하기 위해 사용하는 것이 에천트이며 이러한 공정을 에칭 공정이라고 합니다. 에칭을 통해 반도체의 회로 패턴을 만들고 회로 패턴을 형성하는 과정을 반복하여 반도체의 구조가 형성됩니다. 에칭은 크게 습식 에칭(Wet Etching), 건식 에칭(Dry Etching)으로 구분할 수 있습니다. 습식 에칭은 화학물질을 이용해 에칭을 하는 방법입니다. 화학물질을 포함한 에천트를 통해 에칭을 하려는 부분과 화학반응을 일으켜 광학적으로 평평하고 결함이 없는 반도체 표면을 만들 수 있습니다. 아래는 습식 에칭의 메커니즘을 간단히 그림으로 나타낸 것입니다. (1)에서 반도체 표면과 에천트가 접촉하게 된다. 그 뒤, (2)에서 화학적 반응이 일어나게 되고 (3) 에천트를 통해 에칭이 일어나게 됩니다.

습식 에칭은 비교적 대량의 에칭이 쉬우며 장비나 약품의 가격이 저렴합니다. 또한, 제한되는 물질이 적습니다. 하지만 에칭 깊이가 깊을수록 단면 방향도 에칭이 진행되기 때문에 정밀도가 높은 미세 가공에는 제한적으로 적용이 된다는 점과 에칭액의 온도와 교반이 에칭 속도에 영향을 주기 때문에 에칭 속도가 변화하여 일정하지 못합니다. 화학약품을 사용하기 때문에 안전성에 문제가 발생할 수 있으며 에칭 공정 후에 폐기물을 처리해야 한다는 점도 습식 에칭의 단점입니다. 무엇보다 습식 에칭의 가장 큰 단점은 반도체의 마스크 아래가 에칭되는 언더 컷(Under Cut)으로 인해 과도한 에칭이 되어 성능이 저하될 수도 있다는 것입니다.

반도체 공정에서 중요한 과정 중 하나인 에칭 공정에서 대표적인 에칭은 구리(Cu) 에칭이며 카파 에칭, 카파 공정이라고도 합니다. 최근 반도체 공정에서 메모리칩의 고집적화, 고속화의 영향으로   각 공정의 패턴이 미세화되고 있습니다. 이에 따라 기존의 에칭장비로는 패턴의 미세화가 점점 어려워지고 있는 추세입니다. 집적회로의 고집적화, 고속화는 동시에 배선의 집적을 수반하였고 배선의 집적화는 선폭을 줄이고 배선의 층을 늘리며 이루어져왔습니다. 그러나 배선의 선폭을 점점 작아지고 있지만 높이는 제한이 있기 때문에 배선 저항이 커지게 되는 문제점과 상호 간섭이 심해지는 문제점이 발생합니다. 이를 해결하기 위해서는 비교적 전기 저항이 작은 배선 재료를 개발하는 것이 필요했는데 이러한 재료들의 후보에는 금, 은, 텅스텐, 몰리브덴 그리고 구리가 있습니다.

(3) PR용 Rinse

포토레지스트 공정용 rinse는 포토리소그래피 공정 중 현상(develop) 공정에서 발생되는 residue & pattern defect나 collapse 결함 들을 개선할 수 있는 제품입니다.

(가) ArF & KrF 포토레지스트용 rinse

ArF & KrF 포토레지스트 develop 공정 중 발생되는 패턴 collapse 방지 및 process window(EL & DoF margin) 개선 가능한 rinse 제품으로 2004년 세계 최초로 개발하여 H사와 대만의 기업에 공급하였고, 현재도 H사에 계속 공급 중입니다.  

▶ Collapse - ArF & KrF 포토레지스트 현상 공정(Develop-DI-Spin dry) 시에 전면 collapse 발생

[당사 제품 적용 시 0개 수준(80nm패턴 공정에서 defect 검증)]

▶ EL margin - Rinse 적용 시 DI water only 대비 EL margin 9.5% 개선

[el margin - rinse 적용과 diw only 비교]

▶  DOF margin - Rinse 적용 시 DI water only DOF margin 25% 개선

[dof margin 개선]

(나) ArF Immersion 공정용 rinse
ArF Immersion 공정 중 발생되는 패턴 defect 및 LWR 개선 가능한 rinse 제품으로 2015년 세계 최초로 개발하여 H사와 S사, 미국 G사에 공급 중입니다.

▶  Defect - ArF Immersion 공정 시에 패턴 defect 발생

[당사 제품 적용 시 패턴 defect 67% 이상 개선]

▶  LWR - 당사 제품 적용 시 LWR 5% 이상 개선

[당사 제품 적용 시 lwr 5% 이상 개선]

(다) EUV 포토레지스트용 rinse

EUV 포토레지스트 develop 공정 중 발생되는 패턴 붕괴 방지 및 defect & collapse free한 rinse 제품으로 2021년 개발 완료하여 2022년 양산 평가 진행 중입니다.

▶ CD 변화 - target CD ± 0.5nm 이내

▶ LPC - < 50 ea/mL @ ≥0.1um size 수준

▶ Defect - collapse를 제외한 residue 같은 defect은 free. 린스에 기인한 defect은 없어야 함

▶ Collapse - EUV 포토레지스트 현상 공정(Develop-DI-Spin dry) 시에 동사 제품 적용시 선진사 대비 요구 물성 개선

(4) 기타
(가) CMP slurry 소재

당사의 절연막 CMP 슬러리 제품은 연마 대상 막질 3종류 (실리콘산화막, 실리콘질화막 및 폴리실리콘막) 에 필요한 연마 정도를 첨가제 및 용매의 함량 조절을 통해 해당 막질에 대한 선택비를 조절하여 연마할 수 있는 CMP용 슬러리 조성물이며 특히 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 폴리실리콘막에 대한 상호 연마 성능 선택비를 조절 및 적용할 수 있어 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 폴리실리콘막의 선택적인 성능 변화가 요구되는 반도체 제조의 다양한 공정에 유용하게 적용될 수 있는 CMP용 슬러리 조성물을 제공하고 있습니다. 실리콘산화막 대하여 실리콘질화막 및 폴리실리콘막을 높은 연마 선택비로 연마할 수 있으므로 실리콘산화막에 대해 연마율이 높은 기존의 슬러리와 차별을 두고 있습니다. 현재 3D Nand flash memory 제조 공정 중 GAA 구조 형성의 CMP 단계에 적용 시 적층 구조 형성에 대한 다양한 성능 선택 특성이 가능한 slurry로 Pipe channel의 dishing 또는 Trench variation을 최소화가 가능한 제품입니다.

[nand 제조 공정의 channel 형식 모식도]

또한 양산중인 텅스텐용 CMP 슬러리는 국내 DRAM 및 NAND 메모리 제조공정의 캐패시터 형성 및 플러그, 기타 금속 배선 형성 시 평탄화 공정에 사용되고 있으며, 필요 특성에 따라 특정 케미컬 함량을 조정하여 배리어층 평탄화와 표면 버핑 공정 등 다양한 적용이 가능합니다. 텅스텐 CMP 공정은 산화제에 의한 텅스텐 막질을 WO3 산화막으로 전환이 유도되고 슬러리 내의 연마제와 CMP 패드에 의한 기계적 연마로 텅스텐 박막을 반복적으로 제거합니다. 또한 텅스텐 배선에 인접한 배리어막도 동일 방법에 의해 제거됩니다. 당사의 텅스텐 슬러리는 고순도 콜로이달 실리카를 연마용 소재로 채택하여 분산성을 최대화하고 웨이퍼 표면과의 접촉에서 스크레치성 결함을 최소화하였으며, 기능성 케미컬을 적용하여 부식에 대한 텅스텐 금속 표면을 보호함으로써 부식성 결함을 방지합니다. 산화제의 적용 함량에 따라 실리콘 산화막에 대한 텅스텐 제거력의 선택비 조절이 가능하고, 이에 따라 적용 공정을 선택적으로 달리할 수 있습니다.

[반도체 제조 공정의 배선 형성 모식도]

[금속 cmp 슬러리 공정 후 표면 결함 수준의 검증 비교 자료]

(나) Wafering chemical : 절삭유

당사 wafering 제품군 중 절삭유는 웨이퍼 절삭공정시 사용되는 제품으로 윤활성과 열안정성, 산화안정성이 우수하고 연마입자와 균질하게 혼합되어 slurry의 적정한 점도유지 및 wire 접착력, 분산안정성 그리고 압축 침강방지 효과가 뛰어나 공정 효율이 개선되고 절삭후 웨이퍼의 비틀림 정도(WARP)와 평탄도(Flatness)가 향상되는 제품입니다. 또한 당사제품에 함유된 첨가제에 의해 절삭공정 중 발생되는 금속불순물에 의한 웨이퍼 오염을 방지할 수 있습니다. 금속불순물에 의해 오염된 웨이퍼는 반도체 제조공정 시 plasma arching 발생을 유도하여 particle 형태의 오염을 유발하며, 궁극적으로 반도체 소자의 물리적, 전기적 특성에 치명적 영향을 미쳐 수율 감소를 초래합니다. 따라서 웨이퍼 제조단계에서 금속불순물을 제어 관리하는 것이 매우 중요합니다.

[wafer 제조공정]

(5) 일반 화학

(가) POLYOXYETHYLENE GLYCOL(PEG series)

▶ 외관 : 평균분자량이 증가함에 따라 외관이 액체 상태에서 Paste나 Wax상의 고체 상태가 되며, 분자량이 더욱 커지면 응고점이 높아져 백색 Flake상으로 제조가 가능합니다.

▶ 용해도 및 상용성 : 액상 제품, 반고상 제품, Flake 제품 모두 물에 잘 녹으므로 가장 저렴한 용제인 물을 사용할 수 있습니다. 또한 탄화수소를 제외한 대부분의 유기용제 용해됩니다. 그러나 이들 유기용제에 대한 상용성은 분자량이 증가함에 따라 저하하나 대부분의 약제에 대해서는 높은 상용성을 나타냅니다.

▶ 흡습성 : 액상의 PEG는 모두 흡습성을 가지고 있으나, 보통 분자량이 커지면 흡습성이 감소하며 분자량 1000 이상의 고상 제품은 흡습성이 크게 감소합니다.

▶ 독성 및 자극성 : 독성이나 자극성은 거의 없고, 입술이나 피부에 접촉되어도 장해가 일어나지 않아서 화장품이나 의약품에 사용할 수 있습니다.

▶ 기타 화학적 성질 : PEG의 말단 2개의 -OH기는 제1급 알콜의 성질을 지니므로 Ester화나 Ether화 할 수 있습니다. PEG를 구성하고 있는 Ether결합은 안정하므로 전혀 가수분해되지 않으며, 산화되거나 곰팡이나 박테리아가 번식하지 못하므로 장기 저장이 가능합니다. 물에 대한 용해성은 전해질, 경수, 기타 염류에 영향을 받지 않고, 제4급 암모늄염에는 살균성을 감소시키지 않고 병용할 수 있습니다.

▶ 용도 : PEG는 우수한 화학적, 물리적 성질을 가지고 있으므로 계면활성제, 가소제, 윤활제 등을 제조하는 중간제로서 이용되는 외에 광범위한 산업분야에 사용되고 있습니다.

(의약품) 수용성이며 다른 유기물과 상용성이 특히 우수하고 피부에 대한 독성, 자극성이 없으므로 연고의 기제, 좌제, 주사액, 용매, 정제결속제 등으로 PEG-300, 400, 1000, 1540 등을 사용할 수 있습니다.
(화장품) 중성이며 냄새가 없고 수용성으로 자극성이 없으므로 화장품 산업의 중간제로 사용됩니다. 크림, 로션, 치약, 화장비누, 화장품 등의 용도에 따라 PEG-400 ~ PEG-6000 등이 사용되고 있습니다.
(고무) Rubber Foam이나 Latex Foam 제품의 이형제, 타이어 제조업에 필수적인 AIR BAG 윤활제, 압출성형윤활제 등으로 사용됩니다.
(섬유공업) 섬유공업에서 유연제, 정전기 방지제, 세정제, 분산제, 유화제 또는 염색가공제 등의 중간제로 여러 가지 용도가 있습니다.
(제지공업) 저휘발성이므로 종이의 유연제로 PEG-200, 300, 400이 적당하며 PEG-1000 ~ 2000은 Calendering 공정의 윤활제로 적당합니다.
(계면활성제) PEG의 지방산 Mono 혹은 Di-Ester는 섬유공업, 석유화학, 농약산업에서 유화제, 분산제, 세정제, 가소제, 윤활제 등으로 사용이 됩니다. 이외에도 여러 가지 화학물질과 반응하여 Ether, Amine, Acetal 및 기타 중간체로서 중요한 합성물을 제조할 수 있습니다.
(금속공업) 금속공업에 있어서 연마제, 분말야금 공정의 결속제, Grease, 윤활제의 구성 성분으로 사용이 됩니다.
(수지공업) 수지 정전기방지제, Resin Modifier 및 합성피혁, 합성수지의 유연 가소제로 사용됩니다.
(잉크) 인쇄 잉크, 스텐실 잉크, 스탬프용 잉크, 등사판용 잉크 등에 배합하여 잉크의 흡습성 및 점도조절에 사용하면 잉크의 성능을 향상시킬 수 있습니다.
(목재) 목재 내부의 수분과 치환되는 성질이 있으므로 PEG-1000의 수용액에 침적시키든지 목재의 표면에 도포하면 목재의 수축을 방지하여 형태안정성을 높일 수 있습니다.

(나) 폴리우레탄

형태나 활용 목적에 따라 다양하게 제조 가능한 폴리우레탄은 일상 소비재부터 전문 산업재까지 광범위하게 활용되는 소재입니다. 당사에서는 폴리우레탄의 원료인 폴리올 및 MDI(Methylene Diphenyl Diisocyanate)를 구매/공급하고 있습니다.

▶ Semi-Rigid Polyurethane Foam : 경질과 연질의 중간 정도의 경도를 가진 제품으로 가공이 용이하여 자동차 내장 부품 소재, 가구 등에 활용됩니다.

▶ POLYMERIC MDI : 경질 Foam, 반경질 Foam, CASE 분야 등 다양한 용도에 사용되고 있는 MDI로서 점도에 따라 다양한 Grade로 구분되어 있기 때문에 용도에 따른 선택이 가능합니다. 냉장고 단열재, 냉동컨테이너 단열재, 건축판넬 단열재, LNG 보냉재, 이중보온관, 보드폼, 합성목재, 스프레이 단열재, 자동차 계기판, 자동차 Headliner, 접착제 등에 사용 가능합니다.

나.  주요 제품 매출 현황

다. 주요 제품 등 관련 각종 산업표준

라. 주요 제품 등 관련 소비자 불만사항 등
당사는 최근 3년 내 주요 제품 관련 소비자 불만 및 소송 등의 발생 사실이 없습니다.

3. 원재료 및 생산설비

가. 매입 현황
당사는 원재료 가격 변동 리스크를 대비하기 위해 국내외 원재료 매입업체를 다변화하여 빠른 정보획득과 수급 안정을 우선으로 진행하고 원재료 여유 재고를 상대적으로 많이 비축해두고 있습니다. 가격 면에서는 가격 경쟁을 통해 최저가 매입가 협상, 매입금 지불일정 단축 협상을 진행하고 있습니다. 당사는 원재료 수급문제로 생산과 납품에 차질이 발생한 적은 없습니다.

나. 원재료 가격변동추이

다. 생산능력 및 생산실적

주) 주요제품의 생산능력 산출근거는 아래와 같습니다.

주) 연간 가동일은 360일로 계산하였으며, 품목 가중율은 제품군 별 품목의 종류 및 특성을 반영하여 계산하였습니다.

라. 생산설비에 관한 사항

(1) 현황

(2) 설비의 신설 매입계획

4. 매출 및 수주상황

가. 매출실적

나. 판매조직

판매조직

다. 판매경로

주1) 판매경로별 매출액은 2022년 매출액이며, 수출금액의 미달러화는 괄호안에 표시하였습니다.
주2) 평균환율은 서울외국환중개(www.smbs.biz) 사이트 기간별 매매기준율을 적용하였습니다.

라. 판매전략

마. 수주현황
당사의 제품은 수주 즉시 납품이 이루어지므로 수주잔고는 없습니다.

5. 위험관리 및 파생거래

가. 금융위험관리
회사는 시장위험, 신용위험과 유동성 위험에 노출되어 있습니다. 회사는 이러한 위험요소들을 관리하기 위하여 각각의 위험요인에 대해 면밀하게 모니터링하고 대응하는위험관리 정책을 보유하고 있습니다.

위험관리는 이사회에서 승인한 정책에 따라 자금부서에 의해 이루어지고 있습니다. 회사 자금팀은 현업부서들과 긴밀히 협력하여 재무위험을 식별, 평가 및 회피하고 있습니다. 위험관리의 대상이 되는 회사의 금융자산은 현금및현금성자산, 기타금융자산, 매출채권 및 기타금융자산 등으로 구성되어 있으며 금융부채는 매입채무 및 기타금융부채으로 구성되어 있습니다.

1) 외환위험
회사는 외환 위험, 특히 주로 미국 달러화 및 싱가폴 달러와 관련된 환율 변동 위험에노출돼 있습니다. 외환 위험은 미래예상거래, 인식된 자산과 부채와 관련하여 발생하고 있습니다.

보고기간종료일 현재 다른 모든 변수가 일정하고 각 외화에 대한 원화의 환율 10% 변동시 회사의 세전이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

2) 이자율 위험
이자율 위험은 미래의 시장 이자율 변동에 따라 예금 또는 차입금 등에서 발생하는 이자수익 및 이자비용이 변동될 위험을 뜻하며, 이는 주로 변동금리부 조건의 예금과차입금에서 발생하고 있습니다. 회사의 이자율 위험관리의 목표는 이자율 변동으로 인한 불확실성과 순이자비용의 최소화를 추구함으로써 기업의 가치를 극대화하는데 있습니다.

회사는 내부자금 공유 확대를 통한 외부차입최소화, 고금리 차입금 감축, 장/단기 차입구조 개선, 고정 대 변동이자 차입조건의 적정비율 유지, 일간/주간/월간 단위의 국내외 금리동향 모니터링 실시, 대응방안 수립 및 변동금리부 조건의 단기차입금과 예금을 적절히 운영함으로써 이자율변동에 따른 위험을 최소화하고 있습니다.

보고기간 종료일 현재 다른 모든 변수가 일정하고 회사의 기타금융부채, 차입금에 대한 이자율이 10베이시스포이트(bp) 변동시 순손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다

3) 가격위험
회사는 재무제표상 기타포괄손익공정가치 측정 금융자산으로 분류되는 지분증권의 가격위험에 노출되어 있습니다.

보고기간 종료일 현재 다른 모든 변수가 일정하고 회사의 당기손익-공정가치 측정 금융자산의 가격이 10% 변동시 기타포괄손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

4) 신용위험
신용위험은 회사의 통상적인 거래 및 투자활동에서 발생하며 고객 또는 거래상대방이 계약조건상 의무사항을 지키지 못하였을 때 발생합니다. 이러한 신용위험을 관리하기 위하여 회사는 주기적으로 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 재무신용도를 평가하고 있으며 고객과 거래상대방 각각에 대한 신용한도를 설정하고 있습니다.

5) 유동성 위험
회사는 적정 유동성의 유지를 위하여 주기적인 자금수지의 예측 및 조정을 통해 유동성 위험을 관리하고 있습니다. 회사는 충분한 현금및현금성자산 등을 보유하고 활발한 영업활동을 통해 신용한도 내에서 자금 여력을 탄력적으로 운영하고 있습니다. 영업관련 금융부채의 만기는 대부분 3개월 이내입니다. 회사는 월별 지급될 자금을 상회하는 현금및현금성자산 등을 보유함으로써 유동성을 관리하고 있습니다.
 

나. 자본위험관리
회사의 자본위험관리 목적은 건전한 자본구조를 유지하는데 있습니다. 회사는 자본위험관리지표로 부채비율을 이용하고 있습니다. 이 비율은 총부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있으며 총부채 및 총자본은 재무제표의 공시된 숫자로 계산하며, 회사는 외부적으로 강제된 자기자본규제의 대상은 아닙니다.

1) 파생상품 거래 현황
회사는 환율위험을 벗어나기 위하여 신한은행과 통화 선물환계약을 체결하고 있습니다.  회사는 통화선물환 계약을 보고기간말 현재의 공정가액으로 평가하였으며, 이와관련하여 당기 중 62,126천원의 평가손익을 계상하였습니다.

6. 주요계약 및 연구개발활동

가. 주요계약
당사는 증권신고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

나. 연구개발 조직
(1) 연구개발 조직 개요

연구소 조직도

(2) 주요 연구개발인력 현황

(3) 연구개발인력 구성

(4) 연구개발 실적

7. 기타 참고사항

가. 보유 기술의 경쟁력

나. 지적재산권 현황

III. 재무에 관한 사항

1. 요약재무정보

가. 가. 요약연결재무제표
당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

나. 요약개별재무제표

당사는 2020년도까지는 K-GAAP을 기준으로 외부감사를 받아왔으며, 2020년도 재무제표는 이에 따라 회계법인 하나로로부터 적정의견을 받은 바 있습니다. 다만, 하기의 2020년도 재무제표는 2021년도 K-IFRS를 기준으로 외부감사를 받을 당시 비교재무제표를 위하여 K-IFRS 형식으로 작성된 것으로, K-IFRS 기준으로 감사를 받지 아니한 재무제표 입니다.

2022년도 K-IFRS 재무제표는 감사인인 도원회계법인으로부터 감사를 받았으며, 비교 표시되는 2021년도 K-IFRS 재무제표는 지정감사인인 삼덕회계법인으로부터 감사를 받은 재무제표 입니다.

2. 연결재무제표

당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

3. 연결재무제표 주석

당사는 2022년 사업보고서 제출일 현재 해당사항 없습니다.

4. 재무제표

5. 재무제표 주석

1. 일반사항

회사는 2001년 7월 28일에 설립되어 화공약품의 생산 및 판매를 주된 사업으로 영위하고 있으며, 경상북도 성주군 선남면 유서리길 174-12에 본사 및 공장을 두고 있습니다. 당기말 현재 회사의 자본금은 10,110,545천원입니다.

회사는 2022년 7월 14일 한국거래소 코스닥시장에 상장하였으며, 당기말 현재 주요 주주의 구성은 다음과 같습니다.

2. 보고목적 및 중요한 회계정책

한국채택국제회계기준은 재무제표 작성시 중요한 회계추정의 사용을 허용하고 있으며, 회계정책을 적용함에 있어 경영진의 판단을 요구하고 있습니다. 보다 복잡하고 높은 수준의 판단이 필요한 부분이나 중요한 가정 및 추정이 필요한 부분은 주석 3 에서 설명하고 있습니다.

재무제표 작성을 위하여 채택한 중요한 회계정책은 다음과 같습니다.

(1) 회계정책의 변경과 공시

1) 회사가 채택한 제ㆍ개정 기준서

회사는 2022년 1월 1일로 개시하는 회계기간부터 다음의 제ㆍ개정 기준서 및 해석서를 신규로 적용하였습니다.

(가) 기업회계기준서 제1116호 '리스' 개정 - 2021년 6월 30일 후에도 제공되는 코로나 19 관련 임차료 할인 등

코로나 19의 직접적인 결과로 발생한 임차료 할인 등(rent concession)이 리스변경에해당하는지 평가하지 않을 수 있도록 하는 실무적 간편법의 적용대상이 2022년 6월 30일 이전에 지급하여야 할 리스료에 영향을 미치는 리스료 감면으로 확대되었습니다. 리스이용자는 비슷한 상황에서 특성이 비슷한 계약에 실무적 간편법을 일관되게 적용해야 합니다. 해당 기준서의 개정이 재무제표에 미치는 중요한 영향은 없습니다.

(나) 기업회계기준서 제1103호 '사업결합' 개정 - 개념체계의 인용

인식할 자산과 부채의 정의를 개정된 재무보고를 위한 개념체계를 참조하도록 개정되었으나, 기업회계기준서 제1037호 '충당부채, 우발부채, 우발자산' 및 해석서 제2121호 '부담금'의 적용범위에 포함되는 부채 및 우발부채에 대해서는 해당 기준서를 적용하도록 예외를 추가하고, 우발자산이 취득일에 인식되지 않는다는 점을 명확히 하였습니다. 해당 기준서의 개정이 재무제표에 미치는 중요한 영향은 없습니다.

(다) 기업회계기준서 제1016호 '유형자산' 개정 - 의도한 사용 전의 매각금액

기업이 자산을 의도한 방식으로 사용하기 전에 생산된 품목의 판매에서 발생하는 수익을 생산원가와 함께 당기손익으로 인식하도록 요구하며, 유형자산의 취득원가에서차감하는 것을 금지하고 있습니다. 해당 기준서의 개정이 재무제표에 미치는 중요한 영향은 없습니다.

(라) 기업회계기준서 제1037호 '충당부채, 우발부채 및 우발자산' 개정 - 손실부담계약: 계약이행원가

손실부담계약을 식별할 때 계약이행원가의 범위를 계약 이행을 위한 증분원가와 계약 이행에 직접 관련되는 다른 원가의 배분이라는 점을 명확히 하였습니다. 해당 기준서의 개정이 재무제표에 미치는 중요한 영향은 없습니다.

(마) 한국채택국제회계기준 연차개선 2018-2020

한국채택국제회계기준 연차개선 2018-2020은 2022년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용되며, 조기적용이 허용됩니다. 해당 기준서의 개정이 재무제표에 미치는 중요한 영향은 없습니다.

-기업회계기준서 제1101호 '한국채택국제회계기준의 최초 채택': 최초채택기업인 종속기업

-기업회계기준서 제1109호 '금융상품': 금융부채 제거 목적의 10% 테스트 관련 수수료

-기업회계기준서 제1041호 '농립어업': 공정가치 측정
-기업회계기준서 제1116호 '리스' : 리스인센티브

2) 공표되었으나 아직 시행되지 않은 제ㆍ개정 기준서 및 해석서

제정 또는 공표되었으나 시행일이 도래하지 않아 적용하지 아니한 제ㆍ개정 기준서 및 해석서는 다음과 같습니다.

(가) 기업회계기준서 제1001호 '재무제표 표시' 개정 - 부채의 유동/비유동 분류

보고기간종료일 현재 존재하는 실질적인 권리에 따라 유동 또는 비유동으로 분류되며, 부채의 결제를 연기할 수 있는 권리의 행사가능성이나 경영진의 기대는 고려하지않습니다. 또한, 부채의 결제에 자기지분상품의 이전도 포함되나, 복합금융상품에서 자기지분상품으로 결제하는 옵션이 지분상품의 정의를 충족하여 부채와 분리하여 인식된 경우는 제외됩니다. 동 개정사항은 2023년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용(소급적용)하며, 조기적용이 허용됩니다. 동 개정으로 인해 재무제표에 중요한 영향은 없을 것으로 예상하고 있습니다.

(나) 기업회계기준서 제1001호 '재무제표 표시' 개정 - '회계정책'의 공시

중요한 회계정책을 정의하고 공시하도록 하며, 중요성 개념을 적용하는 방법에 대한 지침을 제공하기 위하여 국제회계기준 실무서 2 '회계정책 공시'를 개정하였습니다.

동 개정 사항은 2023년 1월 1일 이후 최초로 시작하는 회계연도부터 적용되며 조기적용이 허용됩니다. 동 개정이 인해 회사의 재무제표에 미치는 영향을 검토 중에 있습니다.

(다) 기업회계기준서 제1008호 '회계정책, 회계추정의 변경 및 오류' 개정 - '회계추정'의 정의

회계추정을 정의하고, 회계정책의 변경과 구별하는 방법을 명확히 하였습니다. 동 개정 사항은 2023년 1월 1일 이후 최초로 시작하는 회계연도부터 적용되며 조기적용이허용됩니다. 동 개정이 회사의 재무제표에 미치는 중요한 영향은 없을 것으로예상하고 있습니다.

(라) 기업회계기준서 제1012호 '법인세' 개정 - 단일거래에서 생기는 자산과 부채에 대한 이연법인세

자산 또는 부채가 최초로 인식되는 거래의 최초 인식 예외 요건에 거래시점 동일한 가산할 일시적차이와 차감할 일시적차이를 발생시키지 않는 거래라는 요건을 추가하였습니다. 동 개정사항은 2023년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용하며, 조기적용이 허용됩니다. 동 개정이 회사의 재무제표에 미치는 중요한 영향은 없을 것으로예상하고 있습니다.

(마) 기업회계기준서 제1117호 '보험계약' 제정

보험계약의 적용범위, 인식, 측정, 표시 및 공시 원칙이 제정되었습니다.  이 기준서는 2023년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용하며, 조기적용이 허용됩니다. 회사는 동 기준서의 적용범위에 해당하지 않을 것으로 예상하고 있습니다.

(바) 기업회계기준서 제1001호 ' 재무제표 표시' - 행사가격 조정 조건이 있는 금융부채 평가손익 공시

발행자의 주가 변동에 따라 행사가격이 조정되는 조건이 있는 금융상품의 전부나 일부가 금융부채로 분류되는 경우 그 금융부채의 장부금액과 관련 손익을 공시하도록 하였습니다. 동 개정사항은 2023년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용하며, 조기적용이 허용됩니다. 회사는 동 기준서의 적용범위에 해당하지 않을 것으로 예상하고 있습니다.

(2) 재무제표 작성기준

1) 측정기준

재무제표는 금융상품 등 아래의 회계정책에서 별도로 언급하고 있는 사항을 제외하고는 역사적원가를 기준으로 작성되었습니다.

2) 기능통화와 표시통화

재무제표는 회사의 기능통화이면서 표시통화인 "원(KRW)"으로 표시되고 있으며 별도로 언급하고 있는 사항을 제외하고는 "원(KRW)" 단위로 표시되고 있습니다.

(3) 외화환산

기능통화로 외화거래를 최초로 인식하는 경우에 거래일의 외화와 기능통화 사이의 현물환율을 외화금액에 적용하여 기록하며, 보고기간말 화폐성 외화항목은 마감환율로 환산하며, 역사적원가로 측정하는 비화폐성 외화항목은 거래일의 환율로 환산하고, 공정가치로 측정하는 비화폐성 외화항목은 공정가치가 결정된 날의 환율로 환산하고 있습니다.

화폐성항목의 결제시점에 생기는 외환차이와 화폐성항목의 환산에 사용한 환율이 회계기간 중 최초로 인식한 시점이나 전기의 재무제표 환산시점의 환율과 다르기 때문에 생기는 외환차이는 그 외환차이가 생기는 회계기간의 손익으로 인식하고 있으며,
일정요건을 충족하는 위험회피회계를 적용하는 외환차이 등은 기타포괄손익으로 보고하고 있습니다.

비화폐성항목에서 생긴 손익을 기타포괄손익으로 인식하는 경우에 그 손익에 포함된환율변동효과도 기타포괄손익으로 인식하며, 비화폐성항목에서 생긴 손익을 당기손익으로 인식하는 경우에는 그 손익에 포함된 환율변동효과도 당기손익으로 인식하고있습니다.

(4) 현금및현금성자산

회사는 보유현금과 요구불예금, 유동성이 매우 높은 단기 투자자산으로서 확정된 금액의 현금으로 전환이 용이하고 가치변동의 위험이 경미한 자산을 현금 및 현금성자산으로 분류하고 있습니다. 지분상품은 현금성자산에서 제외하고 있으며 다만 상환일이 정해져 있고 취득일로부터 상환일까지의 기간이 단기인 우선주와 같이 실질적인 현금성자산인 경우에는 현금성자산에 포함하고 있으며, 금융회사의 요구에 따라 즉시 상환하여야 하는 당좌차월은 현금및현금성자산의 구성요소에 포함하고 있습니다.

(5) 금융상품

1) 금융자산

금융자산은 금융상품의 계약당사자가 되는 때에만 재무상태표에 인식하고 있으며, 금융자산의 정형화된 매입이나 매도는 매매일 또는 결제일에 인식하고 있습니다. 금융상품의 최초 인식시점에 사업모형과 금융자산의 계약상 현금흐름의 특성에 따라금융자산은 당기손익-공정가치측정금융자산, 기타포괄손익-공정가치측정금융자산,상각후원가측정금융자산으로 분류하고 있습니다.

금융자산은 최초인식시 공정가치로 측정하고 있으며, 당기손익-공정가치금융자산이 아닌 경우 당해 금융자산의 취득과 직접 관련되는 거래원가는 최초인식하는 공정가치에 가산하여 측정하고 있습니다.

(가) 당기손익-공정가치측정금융자산

금융자산을 단기매매목적으로 보유하고 있거나, 당기손익-공정가치측정금융자산으로 지정하는 경우와 기타포괄손익-공정가치측정금융자산 또는 상각후원가측정금융자산으로 분류되지 않는 금융자산은 당기손익-공정가치측정금융자산으로 분류합니다.
 

또한 당기손익-공정가치측정금융자산의 지정이 서로 다른 기준에 따라 자산이나 부채를 측정하거나, 그에 따른 평가손익 등을 인식함으로써 발생할 수 있는 인식과 측정상의 불일치를 제거하거나 상당히 감소시킬 수 있는 경우에는 당기손익-공정가치 측정금융자산으로 지정할 수 있습니다.

당기손익-공정가치측정금융자산은 공정가치로 측정하며 공정가치 변동으로 인한 평가손익은 당기손익으로 인식하고 있습니다. 금융자산으로부터 획득한 배당금과 이자수익도 당기손익으로 인식합니다.

(나) 기타포괄손익-공정가치측정금융자산

채무증권 중 사업모형이 현금흐름 수취 및 매도 사업모형으로 분류되고 계약상 현금흐름이 원금과 이자만으로 구성되어 있는지에 대한 검토를 만족하는 금융자산이나 단기간 내 매도할 목적이 아닌 지분증권 중 기타포괄손익-공정가치측정금융자산으로 지정한 상품은 기타포괄손익-공정가치측정금융자산으로 분류하고 있습니다. 기타포괄손익-공정가치측정금융자산은 최초인식 후에 공정가치로 측정합니다. 공정가치의 변동으로 인하여 발생하는 손익은 유효이자율법에 따른 이자수익, 배당수익 및 손익으로 직접 인식되는 화폐성자산에 대한 외환차이를 제외하고는 자본의 기타포괄손익항목으로 인식하고 있습니다.

기타포괄손익-공정가치측정금융자산을 처분하는 경우 기타포괄손익으로 인식한 누적손익은 해당 기간의 당기손익으로 인식합니다. 다만, 기타포괄손익-공정가치측정 금융자산으로 지정한 지분증권에서 발생한 누적평가손익은 처분시 해당기간의 당기손익으로 인식되지 않습니다.

외화로 표시된 기타포괄손익-공정가치측정금융자산의 공정가치는 해당 외화로 측정되며 보고기간 말 현재 환율로 환산합니다. 공정가치 변동분 중 상각후원가의 변동으로 인한 환산차이에서 발생한 부분은 당기손익으로 인식하며 기타 변동은 자본으로 인식하고 있습니다.

(다) 상각후원가측정금융자산

사업모형이 현금흐름 수취로 분류되고 계약상현금흐름 특성 평가를 만족하는 금융자산은 상각후원가 측정 금융자산으로 분류합니다. 최초 인식 후에는 유효이자율법을 사용한 상각후원가로 측정하며, 이자수익은 유효이자율법을 사용하여 인식합니다.

(라) 금융자산의 제거

금융자산의 현금흐름에 대한 계약상 권리가 소멸하거나, 금융자산의 현금흐름에 대한 권리를 양도하고 금융자산의 소유에 따른 위험과 보상의 대부분을 이전할 때 금융자산을 제거하고 있습니다. 만약, 금융자산의 소유에 따른 위험과 보상의 대부분을 보유하지도 않고 이전하지도 아니한 경우, 회사가 금융자산을 통제하고 있지도 않다면 금융자산을 제거하고, 금융자산을 계속 통제하고 있다면 그 양도자산에 대하여 지속적으로 관여하는 정도까지 계속하여 인식하고, 관련 부채를 함께 인식하고 있습니다.
 
2) 금융자산(채무상품)의 기대신용손실

당기손익-공정가치측정금융자산을 제외한 상각후원가측정금융자산 및 기타포괄손익-공정가치측정채무상품은 매 보고기간 말에 기대신용손실을 평가하고 있습니다. 손실충당금의 측정방식은 신용위험의 유의적인 증가 여부에 따라 결정됩니다. 금융자산의 최초 인식 후 신용위험의 유의적인 증가 여부에 따라 아래 표와 같이 3단계로 구분하여 12개월 기대신용손실이나 전체기간 기대신용손실에 해당하는 금액으로 손실충당금을 인식합니다.

(주1) 보고기간 말 신용위험이 낮은 경우에는 신용위험이 유의적으로 증가하지 않은 것으로 간주할 수 있음

최초 인식 시점에 신용이 손상된 금융자산에 대하여 최초 인식 후 전체기간 기대신용손실의 누적변동분만을 손실충당금으로 계상합니다.

한편, 매출채권, 계약자산, 리스채권 등에 대해서는 전체기간 기대신용손실에 해당하는 금액으로 손실충당금을 측정하는 간편법을 적용하고 있습니다.

기대신용손실은 일정 범위의 발생 가능한 결과를 확률가중한 값으로, 화폐의 시간가치를 반영하고, 보고기간 말에 과거사건, 현재 상황과 미래 경제적 상황에 대한 예측에 대한 과도한 원가나 노력 없이 이용할 수 있는 정보를 반영해 측정합니다.

3) 금융부채

금융부채는 금융상품의 계약당사자가 되는 때에만 재무상태표에 인식하고 있으며, 금융부채의 최초 인식시 당기손익-공정가치측정금융부채 또는 기타금융부채로 분류하고 공정가치로 측정하고 있습니다. 당기손익-공정가치측정금융부채를 제외하고는 해당 금융부채의 발생과 직접 관련되는 거래비용은 최초 측정시 공정가치에 차감하고 있습니다.

(가) 당기손익-공정가치측정부채

당기손익-공정가치측정금융부채는 최초 인식시점에 당기손익-공정가치측정금융부채로 지정한 금융부채를 포함하고 있습니다. 당기손익-공정가치측정금융부채는 최초 인식 후 공정가치로 측정하며, 공정가치의 변동은 당기손익으로 인식하고 있습니다. 한편,최초 인식시점에 발행과 관련하여 발생한 거래비용은 발생 즉시 당기손익으로 인식하고 있습니다.

(나) 당기손익-공정가치측정부채로 분류되지 않는 금융부채

당기손익-공정가치측정부채로 분류되지 않는 금융부채는 다음의 금융부채를 제외하고는 최초인식 후 유효이자율법을 사용하여 상각후원가로 측정하고 있습니다.

금융자산의 양도가 제거 조건을 충족하지 못하거나 지속적관여접근법이 적용되는 경우에 발생하는 금융부채의 경우, 양도자산을 상각후원가로 측정한다면 양도자산과 관련부채의 순장부금액이 양도자가 보유하는 권리와 부담하는 의무의 상각후원가가 되도록 관련부채를 측정하며, 양도자산을 공정가치로 측정한다면 양도자산과 관련부채의 순장부금액이 양도자가 보유하는 권리와 부담하는 의무의 독립적으로 측정된 공정가치가 되도록 관련부채를 측정하고 있습니다.

금융보증부채(금융자산의 양도가 제거 조건을 충족하지 못하거나 지속적관여접근법이 적용되는 경우에 발생하는 금융부채 제외)와  시장이자율보다 낮은 이자율로 대출하기로 한 약정은 기대신용손실모형에 따른 손실충당금과 최초인식금액에서 이익누계액을 차감한 금액 중 큰 금액으로 측정됩니다.

(다) 금융부채의 제거

금융부채(또는 금융부채의 일부)는 소멸한 경우(즉, 계약상 의무가 이행, 취소 또는 만료된 경우)에만 재무상태표에서 제거하고 있습니다. 기존 차입자와 대여자가 실질적으로 다른 조건으로 채무상품을 교환하거나 기존 금융부채(또는 금융부채의 일부)의 조건이 실질적으로 변경된 경우 최초의 금융부채를 제거하고 새로운 금융부채를 인식하고 있으며, 소멸하거나 제3자에게 양도한 금융부채(또는 금융부채의 일부)의 장부금액과 지급한 대가의 차액은 당기손익으로 인식하고 있습니다.

4) 금융자산과 금융부채의 상계

회사는 인식한 자산과 부채에 대해 법적으로 집행가능한 상계권리를 현재 보유하고 있으면서 순액으로 결제하거나 자산을 실현하는 동시에 부채를 결제할 의도를 가지고 있는 경우에 금융자산과 금융부채를 상계하고 재무상태표에 순액으로 표시하고 있습니다.

5) 부채와 자본의 분류

채무상품과 지분상품은 계약의 실질 및 금융부채와 지분상품의 정의에 따라 금융부채 또는 자본으로 분류하고 있습니다.

6) 파생상품

파생상품은 파생상품 계약 체결 시점에 공정가치로 최초 인식되며 이후 공정가치로 재측정됩니다. 위험회피회계의 적용 요건을 충족하지 않는 파생상품의 공정가치변동은 거래의 성격에 따라 '기타수익(비용)' 또는 '금융수익(비용)'으로 손익계산서에 인식됩니다.

7) 복합금융상품

회사가 발행한 복합금융상품은 보유자의 선택에 의해 지분상품으로 전환될 수 있는 상환전환우선주부채와 신주인수권부채입니다.

동 복합금융상품의 부채요소는 최초에 동일한 조건의 전환권이 없는 금융부채의 공정가치로 인식되며, 후속적으로 전환일 또는 만기일까지 상각후원가로 인식됩니다.
전환권은 발생시점에 전환가격과 보유자의 권리행사에 따라 발행할 주식수가 모두 확정되어 자본의 정의를 충족할 경우에는 지분상품으로 분류하여 기타자본으로 인식하고, 그 외의 경우에는 파생금융부채로 인식합니다.

전환권이 기타자본으로 인식될 경우, 자본요소는 복합금융상품 전체의 공정가치와 부채요소의 공정가치의 차이로 최초 인식되며, 후속적으로 재측정되지 아니합니다. 복합금융상품의 발행과 직접적으로 관련된 거래원가는 부채요소와 자본요소의 최초 인식 금액에 비례하여 배분됩니다.

(6) 재고자산

재고자산의 취득원가는 매입원가, 전환원가 및 재고자산을 현재의 장소에 현재의 상태로 이르게 하는 데 발생한 기타 원가 모두를 포함하고 있으며, 재고자산의 단위원가는 선입선출법(미착품은 개별법)을 사용하여 결정하고 있습니다.  

재고자산은 취득원가와 순실현가능가치 중 낮은 금액으로 측정하고 있습니다. 순실현가능가치는 통상적인 영업과정의 예상 판매가격에서 예상되는 추가 완성원가와 판매비용을 차감한 금액으로서  매 후속기간에 순실현가능가치를  재평가하고 있습니다.

재고자산의 판매시 관련된 수익을 인식하는 기간에 재고자산의 장부금액을 비용으로인식하고 있으며 재고자산을 순실현가능가치로 감액한 평가손실과 모든 감모손실은 감액이나 감모가 발생한 기간에 비용으로 인식하며, 순실현가능가치의 상승으로 인한 재고자산 평가손실의 환입은 환입이 발생한 기간의 비용으로 인식된 재고자산 금액의 차감액으로 인식하고 있습니다.

(7) 투자부동산

투자부동산은 임대수익이나 시세차익 또는 두 가지 모두를 얻기 위하여 회사가  보유하고 있는 부동산으로서 최초 인식시점에 원가로 측정하고 거래원가는 최초 측정에 포함하고 있습니다. 최초 인식 이후 투자부동산은 취득원가에서 감가상각누계액과 손상차손누계액을 차감한 금액을 장부금액으로 표시하고 있습니다.

후속원가는 자산으로부터 발생하는 미래경제적효익이 유입될 가능성이 높으며, 자산의 원가를 신뢰성 있게 측정할 수 있는 경우 자산의 장부금액에 포함하거나 적절한 경우 별도의 자산으로 인식하고 있으며, 일상적인 수선ㆍ유지와 관련하여 발생하는 원가는 발생시점에 당기손익으로 인식하고 있습니다.

투자부동산 중 토지에 대해서는 감가상각을 하지 않으며, 토지를 제외한 투자부동산은 경제적 내용연수에 따라 XX년을 적용하여 정액법으로 상각하고 있습니다. 투자부동산의 감가상각방법, 잔존가치 및 내용연수는 매 보고기간말에 재검토하고 있으며, 이를 변경하는 것이 적절하다고 판단되는 경우 회계추정의 변경으로 회계처리하고 있습니다.

부동산의 용도가 변경되는 경우에만 투자부동산의 대체가 발생하고 있으며 투자부동산, 자가사용부동산, 재고자산 사이에 대체가 발생할 때에 대체 전 자산의 장부금액을 승계하고 있습니다.

투자부동산을 처분하거나, 투자부동산의 사용을 영구히 중지하고 처분으로도 더 이상의 경제적효익을 기대할 수 없는 경우에는 재무상태표에서 제거하고 있으며, 투자부동산의 폐기나 처분으로 발생하는 손익은 순처분금액과 장부금액의 차액이며 폐기나 처분이 발생한 기간에 당기손익으로 인식(판매후리스계약은 기업회계기준서 제1116호를 적용하여 처분손익으로 인식)하고 있습니다.