분 기 보 고 서

                                   (제 18 기)

【 대표이사 등의 확인 】

확인서

I. 회사의 개요

1. 회사의 개요

1) 회사의 법적, 상업적 명칭
당사의 명칭은 주식회사 마이크로프랜드라고 표기합니다. 또한 영문으로는 Micro Friend Inc. 이라 표기합니다.

2) 설립일자 및 존속일
당사는 2004년 5월 12일에 반도체 검사장치 제조 및 판매를 주된 사업목적으로 설립되었으며, 2016년 12월 12일 코스닥 시장에 상장되어 매매가 개시되었습니다.

3) 본사의 주소, 전화번호 및 홈페이지
  가) 주소 : 서울시 노원구 공릉로 232, 서울테크노파크 10층
  나) 전화번호 : 02-944-6400
  다) 홈페이지 : http://www.microfriend.co.kr

4) 중소기업 해당여부
당사는 본 보고서 작성기준일 현재 중소기업기본법 제2조 및 중소기업기본법 시행령 제3조에 의거 중소기업에 해당됩니다.

5) 주요사업의 내용

당사가 영위하고 있는 주요 사업은 반도체 제조공정 중 반도체 소자의 전기적 기능의 검사를 위한 테스트 공정에 소요되는 프로브 카드(Probe Card)의 제조 및 판매입니다.

반도체 제조공정은 크게 웨이퍼를 제조하는 전공정과 제조된 웨이퍼를 가공하여 각각의 반도체 칩을 생산하는 후공정으로 구분됩니다. 전공정은 웨이퍼상에 설계된 회로에 따라 여러 종류의 막을 형성하고 불필요한 부분을 제거하는 과정을 반복하며 전자회로를 형성하는 공정입니다. 후공정은 개별 칩별로 전기적 신호를 연결하고 형상 가공의 역할을 하는 패키징 공정과 반도체 소자의 전기적 기능을 검사하는 테스트 공정으로 분류됩니다.

당사의 제품이 사용되는 테스트 공정은 패키징 이전 단계인 웨이퍼 상태에서 진행되는 웨이퍼 테스트(Wafer Test)와 패키징 공정 완료 후 완성된 개별 칩에 대한 검사를 수행하는 패키지(PKG Test) 테스트로 구분됩니다.
당사의 주요 제품인 프로브 카드는 웨이퍼 테스트(Wafer Test)에 소요되는 고부가가치의 소모성 부품입니다.

당사 정관 상 사업의 목적사항으로 구분 표기되어 있는 내용은 아래와 같으며, 상세한 내용은 Ⅱ. 사업의 내용을 참조하시기 바랍니다.

6) 계열회사의 총수, 주요 계열회사의 명칭 및 상장여부
   해당사항 없습니다.

7) 신용평가에 관한 사항

- 신용등급 정의

8) 회사의 주권상장(또는 등록ㆍ지정)여부 및 특례상장에 관한 사항

2. 회사의 연혁

1) 회사의 본점소재지 및 그 변경

2) 경영진의 중요한 변동

3) 최대주주의 변동
    가. 변동일자 : 2020년 07월 02일
    나. 변동내역 : 임동준에서 (주)프로텍으로 변경
    다. 변동사유 : 경영 참가 목적

4) 상호의 변경
 - 공시대상 기간 중 해당사항 없습니다.

5) 회사의 업종 또는 주된 사업의 변화
 - 공시대상 기간 중 해당사항 없습니다.

6) 그 밖에 경영활동과 관련된 중요한 사항의 발생

3. 자본금 변동사항

증자(감자)현황

1. 설립 이후 5회에 걸쳐 발행된 상환전환우선주가 2014.10.31 보통주로 전량 전환되었으며, 전환비율은 1:1이었으나 2008.05.23 발행된 상환전환우선주 발행가는 4,500원인 반면, 전환가는 4,000원으로 조정되어 전환비율 1:1.125로 보통주로 전환되었습니다. 이로 인해 상환전환우선주는 4,014,481주가 감소한 반면 보통주는 4,208,922주가 증가하였으며 세부내역은 다음과 같습니다.

                                                                                                                               (단위 : 원, 주)

4. 주식의 총수 등

주식의 총수 현황

5. 의결권 현황

6. 배당에 관한 사항 등

가. 배당의 관한 사항
당사는 정관에 의거 이사회결의 및 주주총회 결의를 통하여 배당을 실시하고 있습니다. 당사의 정관에 기재된 배당에 관한 사항은 다음과 같습니다.  

주요배당지표

과거 배당 이력

- 해당사항 없습니다.

7. 정관에 관한 사항

정관 변경 이력

II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

가. 사업 개황

당사가 영위하고 있는 주요 사업은 반도체 제조공정 중 반도체 소자의 전기적 기능의 검사를 위한 테스트 공정에 소요되는 프로브 카드(Probe Card)의 제조 및 판매입니다.

반도체 제조공정은 크게 웨이퍼를 제조하는 전공정과 제조된 웨이퍼를 가공하여 각각의 반도체 칩을 생산하는 후공정으로 구분됩니다. 전공정은 웨이퍼상에 설계된 회로에 따라 여러 종류의 막을 형성하고 불필요한 부분을 제거하는 과정을 반복하며 전자회로를 형성하는 공정입니다. 후공정은 개별 칩별로 전기적 신호를 연결하고 형상 가공의 역할을 하는 패키징 공정과 반도체 소자의 전기적 기능을 검사하는 테스트 공정으로 분류됩니다.

당사의 제품이 사용되는 테스트 공정은 패키징 이전 단계인 웨이퍼 상태에서 진행되는 웨이퍼 테스트(Wafer Test)와 패키징 공정 완료 후 완성된 개별 칩에 대한 검사를 수행하는 패키지(PKG Test) 테스트로 구분됩니다. 당사의 주요 제품인 프로브 카드는 웨이퍼 테스트(Wafer Test)에 소요되는 고부가가치의 소모성 부품입니다.

[반도체 제조공정]

반도체 제조공정

프로브 카드는 웨이퍼 상태에서 웨이퍼 내에 제작된 칩의 전기적 동작 상태를 검사하기 위해 아주 가는 선 형태의 Probe Pin을 일정한 규격의 회로기판에 부착한 카드로, Probe Pin이 웨이퍼에 생성된 칩 내부의 패드(Pad)에 접촉되면서 메인 테스트 장비로부터 받은 신호를 전달하고 칩에서 출력되는 신호를 감지하여 다시 메인 테스트 장비에 전달하는 역할을 수행합니다. 테스트 장비는 전달된 신호를 받아 칩의 양, 불량을 확정하게 되므로 프로브 카드는 웨이퍼와 테스트 장비의 중간 매개체입니다.

프로브 카드는 메모리 및 비메모리 즉, 반도체 종류와 무관하게 웨이퍼 테스트 공정에서는 필수적으로 소요되는 부품이며, 각 반도체의 특성에 맞춰 제품 사양이나 요구 기술 수준은 상이한 편입니다. 또한 고객사별로 사용되는 테스트 장비와 고객사의 요구 사양에 맞춰 전량 주문 제작되는 방식이며, 반도체 제조사의 설비 투자 규모 뿐만 아니라 가동률, 제품 구성 등에 직접적인 영향을 받게 됩니다.

[웨이퍼 테스트 시스템]

웨이퍼 테스트 시스템

프로브 카드는 동시에 다수의 칩을 최소한의 테스트 시간으로 정확하게 테스트를 수행할 수 있는지 여부가 핵심 기술로, 테스트 효율을 제고시키기 위해 절대적으로 필요한 부품 소재인 반면, 반도체 제조사의 생산기술에 동조화되어야 하므로 기술적 진입장벽이 높은 분야입니다. 또한 제품의 신뢰성 확보가 매우 중요한 경쟁력이므로 장기간의 개발 및 양산 경력과 고객사와의 신뢰관계가 요구됩니다.

최근 반도체 소자는 고집적화로 회로 선폭 및 칩 내부에 생성되는 입출력 패드 사이의 간격이 미세해 지면서 프로브 카드에도 높은 정밀도 및 미세화에 대한 대응이 요구되나 기존 수작업 형태의 제품은 대응이 불가합니다.

이에 프로브 카드 제조사들은 미세 공정화, 기판 대형화 등 반도체 제조사의 생산기술 발전에 대응하고 테스트 시간을 최소화 하여 생산성을 확대하기 위한 연구 개발을 지속하였고 수작업이 아닌 반도체 식각 방법을 이용하여 초소형 정밀 기계 기술로 각광받는 MEMS(Micro Electronic Mechanical System) 기술을 기반으로 한 MEMS 프로브 카드를 개발하여 상용화 하기 시작하였습니다. MEMS란 미세전자기계시스템으로 반도체 공정기술을 기반으로 한 초소형 정밀기계 제작기술로, 초소형 제품의 대량 생산이 가능하여 프로브 카드를 비롯하여 자이로 센서, 가속도 센서, 프린터 헤드, 미세 기계 분야 등에 광범위하게 적용되고 있습니다.

MEMS 기술을 활용한 프로브 카드는 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고, Probe Pin의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 초기에는 DRAM 제품의 웨이퍼 테스트용으로 적용되었으나 NAND용 제품을 비롯하여 비메모리용 제품까지 반도체 산업 내에서 적용분야를 확대하고 있어 MEMS 기술을 기반으로 한 프로브 카드 제조사들의 경쟁력은 더욱 공고해지고 있는 상황입니다.

당사 역시 MEMS 기술을 기반으로 2004년 설립되어 MEMS 프로브 카드 개발을 시작하였으며, 2006년 12월 독자적으로 개발한 DRAM용 MEMS 프로브 카드가 삼성전자 양산 승인을 득하면서 본격적으로 매출을 시현하기 시작하였습니다. DRAM용 MEMS 프로브 카드는 기술적 진입장벽이 높아 글로벌 프로브 카드 제조사들이 지배하던 상황에서 당사는 독자적인 기술로 개발하여 양산에 성공하였으며, 프로브 카드 제조 전체 공정을 MEMS 공정을 통해 생산하고 있습니다.
DRAM 중심에서 NAND 비중이 확대되는 전방산업의 변화에 맞춰 NAND용 프로브 카드 제품도 개발하여 양산하고 있고, 상기 제품들을 글로벌 종합 반도체 제조사인 삼성전자에 안정적으로 공급하며 협력사로 점유율을 확대해 가고 있습니다.

MEMS 기술을 기반으로 한 메모리용 프로브 카드 이외에 비메모리용 MEMS 프로브 카드를 비롯하여 최종 패키지 테스트에 사용되는 테스트 소켓 개발을 완료하여 양산 검증을 진행하는 등 제품 포트폴리오를 지속적으로 확대하고 있습니다. 또한 중국 반도체 제조사로 신규 매출처 발굴을 진행하고 있어 전방산업의 성장과 더불어 향후에도 안정적인 성장세를 실현할 수 있을 것으로 예상됩니다.

(1) 제품 설명

프로브 카드는 반도체 전공정이 완료된 웨이퍼에 대해서 웨이퍼 상에 배열되어 있는 각각의 칩(Chip)들이 동작 불능 상태 및 제 기능을 발휘하고 있는지를 성능 검사하여 불량 칩들을 판별하기 위한 검사카드입니다.

[MEMS Probe Card]

mems probe card

프로브 카드는 웨이퍼와 테스트 장비 헤드 사이에 장착되며, 프로브 카드상에 8,000~100,000개의 Probe Pin이 웨이퍼상의 개별 칩 내의 패드(Pad)에 접촉되어 테스트 장비와 개별 칩간에 테스트 신호(Signal)를 서로 주고 받을 수 있도록 하는 중간 매개체 역할을 수행하게 됩니다. 여기서 Probe Pin의 생성이 반도체 식각 방법을 이용한 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정으로 형성될 경우 MEMS Probe Card라고 하며, 핀의 초소형화 및 협 피치에 대응할 수 있다는 관점에서 Advanced Probe Card라고도 합니다.

[웨이퍼, 칩, 패드의 구성]

웨이퍼, 칩, 패드의 구성

당사의 MEMS 프로브 카드는 반도체 종류에 따라 메모리용과 비메로리용으로 구분되며, 당사는 현재 메모리용 제품을 주력으로 생산하고 있습니다. 메모리용 프로브 카드는 DRAM용 / NAND용으로 다시 구분됩니다.

DRAM용 / NAND용 제품은 각 반도체 종류의 특성에 따라 프로브 카드의 요구 사양이 상이합니다. DRAM용 제품의 경우 테스트 시간이 매우 짧고 생산성 향상을 위해 핀의 초소
화 및 협 피치가 요구됩니다. 따라서 요구되는 핀의 수치가 증가하고 있으며 핀 수치의 증가는 프로브 카드의 선로의 증가를 유발하고 증가하는 선로를 처리할 수 있는 회로기판이 필요합니다. 당사는 2009년 MEMS 기술 기반의 DRAM용 12인치 프로브 카드 개발에 성공하여 양산을 진행하고 있으며 12인치의 제품을 12인치 세라믹 기판에 일괄하여 MEMS 공정으로 생산할 수 있는 생산라인을  확보하고 있습니다.

DRAM용 제품은 모델당 프로브 카드 소요량은 적은 반면 동일 웨이퍼에서 생산되는 칩의 수가 대량으로 요구되는 핀수가 많고 고사양의 스팩을 요구함에 따라 가격이 높은 편입니다. 반면, NAND용 제품은 DRAM 대비 모델당 생산량이 많아 프로브 카드 수요량은 많은 편이나 요구되는 핀수가 적고 테스트 시간이 긴 편으로 가격도 상대적으로 저렴합니다.

메모리용 프로브 카드 이외에 비메모리용 제품도 개발하여 공급한 실적을 확보하고 있습니다. 비메모리용 제품은 다품종 소량생산, 기술적 특성 등으로 인해 메모리용 프로브 카드 보다는 요구 사양 수준이 낮은 편으로 현재는 MEMS 프로브 카드 도입 초기입니다. 당사는 CIS용 프로브 카드를 개발하여 공급하였으나 양산 단계까지는 확대되지 못한 상황이며, 향후 시장 확대에 대비하여 라인업 확대를 위한 개발을 진행하고 있습니다.

나. 시장 현황 및 경쟁현황

(1) 산업의 특성

(가) 반도체 산업 특성

반도체 산업분야는 반도체 재료 및 반도체 전자회로소자의 제조·제작과 이들의 응용제품을 생산하는 산업이며 넓게는 반도체 소자 응용기기의 제작 및 이와 관련된 산업을 포함하고 있습니다. 그러므로 반도체 산업은 전자산업, 정보통신산업, 자동차산업, 항공우주산업, 바이오산업 등 다양한 첨단산업들을 포함하는 고부가가치 산업입니다.

최근 세계 반도체 시장은 디지털 TV, 스마트폰, 태블릿 PC, 자동차, 윈도 PC 등 응용제품시장의 급성장에 따라 반도체 수요가 지속적으로 증가하고 있습니다. 또한 글로벌 IT 경기 호조세, 개도국 중산층의 급증, 인터넷 게임시장의 성장 등도 반도체 시장 확대에 큰 기여를 하고 있습니다.

이런 반도체 산업의 특성을 요약하면 다음과 같습니다.

① 초기에 막대한 투자비가 소요되는 장치산업

반도체 산업은 지속적인 기술혁신으로 제품의 라이프 사이클이 짧고 신제품 개발이 완료된 단계에서 양산체제를 구축, 시장을 선점하는 전략이 중요시되며 양산체제 구축에는 대규모 투자가 요구됩니다. 투자 이후에는 투자에 따른 규모의 경제가 발생하는 산업이며 생산에서의 경험, 지식 및 기술 등이 축적되어 효율적인 생산을 가능하게 하는 학습효과가 크게 나타나는 산업입니다.

② 투자에서의 적기(Timing)가 중요한 산업

막대한 투자가 판매에서 성공으로 연결되기 위해서는 투자의 적기를 판단하는 것이 중요합니다.

③ 산업의 연관효과가 큰 산업
전방으로는 반도체생산에 필요한 재료와 장비산업을 후방으로는 반도체를 사용하는 전자기기 및 시스템 산업과 연관됨으로써 신시장 창출은 물론 전/후방산업의 경쟁력을 강화시킬 수 있습니다.

④ 부가가치가 높은 산업

반도체의 기능과 역할이 점차 증대되고 있으며 적용범위도 확대되고 있습니다. 이로 인하여 반도체의 크기는 축소되고 공정도 미세화 되면서 요소기술 개발에 대한 연구가 활발하게 진행되는 등 제조 공정상의 부가가치가 다른 제품에 비해 상대적으로 높습니다.

⑤ 성장 속도가 빠른 산업

1980년대 이후 전자산업은 산업경제가 정보화, 소형화, 과학화되는 추세에 맞춰 지속적으로 성장이 확대되었고, 이러한 추세는 반도체산업 성장을 촉진시켰습니다.

(나) 프로브 카드 산업 특성

프로브 카드는 전공정이 완료된 웨이퍼상에 배열되어 있는 칩들에 대한 불/양품 여부를 검사하는 반도체 테스트 공정에 소요되는 핵심적인 부품이며, 반도체의 기술 발전 속도에 대응해야 하는 기술집약적 산업입니다. 반도체의 고집적화 및 정밀화 등의 추세에 따라 테스트의 중요성이 증대되고 있어 반도체 제조사의 생산 효율성 제고를 위해 절대적으로 필요한 부품으로 웨이퍼의 대형화, 칩 사이즈의 소형화에 따라 고객의 요구사항이 커지고 있는 사업분야입니다. 특히, 웨이퍼의 크기가 커지고, 웨이퍼 단위 면적당 구현되는 칩의 수가 증가하면서 많은 수의 칩을 동시에 시간을 단축시키면서 테스트 할 수 있는지 여부가 프로브 카드의 경쟁력으로 부각되고 있습니다.

초기 프로브 카드는 10개 이하의 칩을 동시에 테스트 할 수 있는 정도의 용량을 가지고 있었으며 프로브 핀 수도 3000핀 이하로 PCB 기판 위에 프로브 핀을 접착제로 고정하여 제작하는 수작업 조립방식(Cantilever type)으로 제작되는 방식이 주를 이루었습니다.

수작업 조립방식은 숙련된 인력으로 구성되어 있어도 사람의 손으로 프로브 핀의 위치를 조정하여 제조하기 때문에 프로브 핀의 위치 정밀도가 떨어지고 균일한 품질 수준의 확보가 불가하며 불량이나 파손 발생시 개별 프로브 핀의 수리가 불가한 단점이 있습니다. 더욱이 수작업으로는 32DUT(Device Under Test: 웨이퍼에 형성된 칩 하나의 단위)이상의 프로브 카드 제작이 불가함에 따라 생산성이 떨어지고 칩의 소형화 및 기판 대형화에 따른 고객의 요구수준에 대응하지 못하는 한계에 봉착하였습니다.

이에 프로브 카드 제조사들은 미세 공정화, 기판 대형화 등 반도체 제조사의 생산기술 발전에 대응하고 테스트 시간을 최소화 하여 생산성을 확대하기 위한 연구 개발을 지속하였고 결국 수작업으로 Probe Pin을 형성시키는 것이 아닌 반도체 식각 방법을 이용하여 프로브 핀을 직접 생성시키거나(3D MEMS 방식), 만들어진 프로브 핀을 로봇을 이용하여 자동화 본딩(2D MEMS 방식)하는 MEMS 프로브 카드를 개발하여 상용화기 시작하였습니다. MEMS 기술을 활용한 프로브 카드는 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고, 프로브 핀의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 Advanced Probe Card라고 명명하게 되었고, 메모리용 프로브 카드에 먼저 적용되어 현재는 12인치 웨이퍼와 동일한 사이즈로 한번 Touch Down에 웨이퍼상의 모든 칩을 테스트하는 대용량 프로브 카드를 수요처에 공급하게 되었습니다.

기존의 수작업 조립방식과 MEMS 프로브 카드의 중간 단계인 Vertical 프로브 카드는 수작업 조립방식의 단점을 일부 보완한 형태로, 다품종 소량 생산의 비메모리 분야에 초점을 맞추어 진화시킨 타입입니다. 비메모리 반도체는 메모리 반도체와 달리 칩의 패드 형태가 여러 열로 구성되어 있으므로 수직 스프링 개념의 프로브 핀을 제작한 후 조립하는 형태로 제조됩니다.

[Probe Card 타입별 특징]

(자료 : 자체 조사)

(2) 시장규모

(가) 반도체 산업 현황 및 전망

산업통상자원부와 한국반도체산업협회에 따르면, 코로나19, 화웨이 제재 등 영향에도 불구하고 2020년 반도체 수출은 992억불로 전년비(939억불) 5.6% 증가하여 역대 2위 실적를 기록했습니다. 반도체 수출은 6개월 연속 플러스, 4개월 연속 두자릿수 증가율로 총수출 성장기여도 +1.0%p를 기록했습니다.

코로나19 영향으로 모바일向 수요는 부진하였으나, 비대면 경제 가속화에 따른 서버·노트북 분야 수요 견조로 선방한 것으로 평가됩니다. 모바일向 수요의 경우에도 5G 본격화, 중국 시장 스마트폰 점유율 확보 경쟁 등에 따라 하반기부터는 수요 회복세를 시현하였습니다.

2021년 세계경제는 5.0% 내외, 세계교역은 7.2% 성장이 예상되는 가운데 주요 전망기관은 세계 반도체 시장이 이를 뛰어넘는, 보다 높은 성장률을 기록할 것으로 전망하고 있습니다. 2021년 글로벌 반도체 시장은 2020년 대비 약 8~10% 증가, 메모리 시장은 약 13~20% 증가할 것으로 전망하고 있습니다.

글로벌 반도체 시장 전망

2021년 반도체 수출은 2020년(992억불) 대비 10.2% 증가한 1,075~1,110억불(기준전망 1,093억불) 전망으로, 역대 2번째로 1,000억불 이상 실적을 기록하면서 역대 2위의 수출실적을 1년만에 갱신할 것으로 전망하고 있습니다.

메모리는 가격상승이 예상되는 D램 중심으로 수출이 대폭 증가하여 12.0% 증가한 703~729억불(기준전망 716억불)로 전망되며, 시스템반도체는 5G 통신칩, 이미지센서 등 수요 증가 및 파운드리 대형고객 확보로 7.0% 증가한 318~330억불(기준전망 324억불)을 기록할 것으로 전망하고 있습니다.(출처: 기계신문)

(나) 프로브 카드 시장 규모 및 전망

주요 반도체 재료인 웨이퍼의 검사기능을 수행하는 프로브 카드는 전방산업인 반도체산업 및 전자기기 및 시스템 산업 경기에 직접적인 영향을 받습니다. 특히, 웨이퍼 생산에 소모품으로 적용되어 반도체의 생산량에 따라 시장규모에 직접적인 영향을 받으며, 반도체 중에서도 큰 비중을 차지하고 있는 메모리 반도체산업의 경기변동에 직접적인 영향을 받습니다. 반도체의 최종 수요처인 전자제품의 성능 및 기능의 다양화 및 태블릿PC, 스마트폰 등 신규 어플리케이션 시장의 확대 등으로 전방산업의 약진이 예상되는 바 이에 따라 프로브 카드의 수요도 증가할 것으로 예상됩니다.

프로브 카드 시장은 제조방식별로 시장이 형성되어 있으며 수요처인 반도체 제조사의 생산품목에 따라 구분 하기도 합니다.
VLSI Research 전망에 따르면, 프로브 카드 종류별 시장 규모는 아래와 같습니다.

the probe card market-revenues_2021

최근 반도체 미세화 및 다핀화 대응, MEMS 기술 등의 새로운 공정 적용 추세에 따라 과거 Blade형 및 Cantilever형 프로브 카드를 탈피하여 Advanced형 프로브 카드가 부각되고 있습니다. 특히, MEMS 기술을 활용함에 따라 기존의 기술에 비하여 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고, Probe Pin의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 MEMS 프로브 카드가 기존의 프로브 카드 시장에서 점유율을 확대할 것으로 예상됩니다.

메모리 반도체의 웨이퍼 테스트 공정에 사용되는 프로브 카드의 80% 이상이 MEMS 프로브 카드가 사용되고 있습니다. 비메모리 반도체 테스트공정에서 사용되는 프로브 카드는 다양한 형태로 진행됩니다. 이는 제품의 다양성에 기인합니다.

국내 프로브 카드 시장규모는 삼성전자와 SK 하이닉스의 수요로 결정됩니다. 특히, 메모리용 제품의 경우에는 100% 수요처이며, 비메모리의 경우에는 팹리스나 테스트 업체에서 일부 소요가 있으나 금액이 미미합니다. 삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 시장 지배력이 높은 상황이므로 이에 따라 프로브 카드의 소비도 지속적으로 증가할 것으로 예상됩니다.
2021년 시장 여건은 아래와 같습니다.

가) 시장 여건

① DRAM / NAND 시장 전망
5G 시장 확대, 비대면 경제 확산 지속 등으로 스마트폰·서버·PC 등 전반적인 전방산업 수요증가로 금년 시황은 개선이 기대되는 가운데, 5G 본격화, 中 시장 스마트폰 점유율 경쟁 등으로 스마트폰은 2.4% 성장, 비대면 경제 활성화에 따른 데이터센터 투자 재개, 재택근무 및 원격수업 등 영향으로 서버는 6.0%, PC는 5.8% 성장이 기대됩니다.

반도체 전방산업 출하량 전망

DRAM은 연초부터 초과수요로 전환해 그폭이 점차 확대, NAND는 초과공급 상태를 유지하다가 하반기부터 초과수요로 전환될 것으로 전망됩니다. DRAM 가격은 2021년 1분기부터 상승세 전환 후 상승세 지속 전망, NAND 가격은 2021년 전반적으로 완만한 하락세가 지속 될것으로 전망하고 있습니다.(출처: 기계신문)

DRAM 시장 전망

NAND 시장 전망

(다) 경쟁 현황
프로브 카드는 각 반도체 제조사별로 고유의 생산기술에 맞춰 특화된 제품을 공급해 줄 것을 요구하고 있으며 이로 인해 요구하는 기술 수준이 반도체 제조사의 반도체 생산기술과 동조화 되는 경향을 보이고 있습니다. 따라서 기본적으로 높은 기술 수준이 요구되며 신규 모델 출시에 대응하기 위한 지속적인 연구개발과 더불어 제품의 신뢰성 확보가 매우 중요한 경쟁력이므로 기술 경쟁력 뿐만 아니라 제품 양산 능력까지 확보되어야 합니다.

1990년대 초반까지 프로브 카드는 모두 수작업 조립방식을 사용하였으나, 반도체 회로 선폭이 급격히 축소됨에 따라 1990년 중반부터 MEMS 프로브 카드를 사용하게 되었습니다. 1990년도 중반에 MEMS기술을 적용한 선발업체로는 미국의 FormFactor 가 성공적으로 시장에 진입하였으며, 현재 세계시장 점유율 1위을 차지하고 있습니다. 또한 기존 수작업 조립방식으로 생산하던 일본업체들이 성공적으로 MEMS 프로브 카드로 전환하였습니다.

기술적 진입장벽으로 인해 신규업체들의 진입이 쉽지 않은 상황으로 소수의 업체들이 시장을 과점하고 있어 매출액 기준으로 상위 10개사가 글로벌 프로브 카드 시장의 82%를 점유하고 있습니다. 상위 10개사들은 개별 회사별로 특화된 기술적 특장점을 기반으로 시장 지위를 확보하고 있는 것으로 판단됩니다.

[Top 10 프로브 카드 제조사 현황]

(자료 : VLSIresearch, 2021년)

당사의 반도체 제조사로는 삼성전자, 반도체 종류별로는 메모리 반도체용 프로브 카드에 특화되어 제품을 공급하고 있어 당사의 실질적인 경쟁사는 삼성전자에 메모리 반도체용 프로브 카드 제품을 공급하는 업체들입니다. 따라서 FormFactor, Micronics Japan(MJC), Japan Electronic Materials(JEM)을 비롯하여 코리아인스트루먼트, 티에스이 등과 직접적인 경쟁관계를 형성하고 있습니다.

(라) 경쟁 우위
① 기술적 측면에서의 비교우위

당사는 독자적인 MEMS 공정기술을 개발하여 12인치 세라믹 기판을 적용한 MEMS 공정 기술을 확보하고 있습니다. MEMS 프로브 카드를 개발하여 양산하는 제조사는 존재하나 대부분이 전체 공정을 MEMS로 구현하지 못하고 프로브 핀 구현만 MEMS 공정을 진행하고 있습니다.

반면에 당사는 최초 제품 개발시부터 기판 자체에서 MEMS 공정을 직접 구현하는 방식을 채택하였고 이로 인해 핀 수 증가에 대한 유연한 대응이 가능합니다. 따라서 DRAM용 제품에 대한 양산 승인을 먼저 획득하여 양산을 시작하였으며 제품 라인업을 NAND용 제품으로까지 확대하는 형태로 성장해 왔습니다.

현재 MEMS 공정은 Micro를 지나 Nano 공정으로 진화되고 있습니다. 당사가 보유하고 있고, 현재 개발하고 있는 기술은 극 초소형화 기술이므로 현재 수십 Micro 단위에 있는  피치에 충분히 대응할 수 있으며, 향후 더욱 더 축소된다고 해도 충분히 대응할 수 있는 기술을 보유하고 있다고 판단됩니다.

② 독자 개발한 MEMS PROCESS을 통한 원가경쟁력 확보

현재 Nano 사이즈 반도체공정이 구현됨에 따라 웨이퍼에 생성되는 칩수가 증가하고 있습니다. 따라서 Probe Card 역시 기판에 구현해야 할 핀 수가 큰 폭(2만핀→5만핀→10만핀)으로 증가하는 추세입니다. 핀 수가 증가할 경우 제조원가 또한 핀 수에 비례적으로 증가하는 것이 일반적입니다.

다만, 당사의 MEMS 공정은 동시에 많은 핀을 생성시킬 수 있는 장점을 가지고 있기 때문에 타 공정에 비해 제조 원가경쟁력을 확보하고 있습니다. 타사의 제조방식은 핀 수의 증가에 따라 비례적으로 제조원가가 상승하게 되지만, 당사의 경우 초기 설비투자 규모가 큰 반면 핀 수의 증가에 따른 원가 상승은 제한적입니다.

따라서 당사는 반도체 웨이퍼 칩수의 증가 추세에 대응하는 원가경쟁력을 확보하고 있으며, 향후 반도체 공정이 미세화될수록, Probe Card의 성능이 고도화될수록 장점으로 발휘될 것으로 전망됩니다.

2. 주요 제품 등의 현황
가. 주요 제품 등의 현황

주1. 주요 제품인 반도체 검사용 프로브 카드는 웨이퍼 내에 제작된 칩의 전기적 동작 상태를 검사하기 위해 아주 가는 선 형태의 프로브 핀(Probe Pin)을 일정한 규격의 회로기판에 부착한 카드로, 프로브 핀(Probe Pin)이 웨이퍼에 생성된 칩 내부의 패드(Pad)에 접촉되면서 메인 테스트 장비로부터 받은 신호를 전달하고 칩에서 출력되는 신호를 감지하여 다시 메인 테스트 장비에 전달하는 역할을 수행합니다 .
반도체 종류에 따라 메모리 반도체 중 DRAM용 프로브 카드와 NAND용 프로브 카드를 생산하여 공급하고 있습니다.
주2. 기타매출은 유지 보수에 대해 유상으로 청구한 금액이며, 그 이외에 MEMS 공정 수행 용역 제공 등으로 구성되어 있습니다.

나. 주요 제품 등의 가격변동추이

주1. 당사의 매출은 국내 뿐만 아니라 수출도 존재하나 판매가격은 기밀사항에 해당되어 내수/수출 구분 없이 전체 평균 판매 가격을 기재하였습니다.
주2. 당사의 제품은 전량 주문생산 방식으로 고객사의 요구사양에 따라 제품 가격이 상이합니다. 상기 가격변동추이는 연간 매출액을 판매수량으로 나누어서 산출하였습니다.

다. 주요 제품 등 관련 각종 산업표준

3. 주요 원재료 등의 현황

가. 매입 현황

주1. 주요 원재료 품목에 대한 세부 설명은 다음과 같습니다.

원재료 품목		내        용
MLC (MULTILAYER CERAMIC)	세라믹 기판	프로브카드의 핵심부품으로, MEMS 공정 진행시의 기판으로 사용됨. MLC을 가공하여 웨이퍼와 직접 콘택하는 probe pin을 형성하게 되며, 개별주문제작하고, 웨이퍼 사이즈에 크기가 연동됨.
PCB (PRINTED CIRCUIT BOARD)	pcb	테스트 장비와의 전기적 연결을 담당하는 부품으로 일반 PCB와는 달리 50층 이상의 회로패턴으로 구성
기구물	기구물	프로브 카드의 물리적 안정을 위한 기구물로 주로 sus 재질을 가공하여 맞춤 제작하며, 주로 PCB 크기에 따라 구분됨.
기타(소자류 등)		PCB에 실장되는 부품으로 전기적 회로 구성에 필요한 반도체 소자(특수목적)로, 별도 주문제작이 아닌 표준품을 활용함.

나. 원재료 가격변동추이

주1. 원재료 품목의 가격변동추이는 원재료 매입단가 노출 위험 등으로 인해 내수 및 수입을 통합하여 평균단가를 기재하였습니다.

주2. 원재료 매입가격은 국내, 수입을 포함하여 평균매입단가를 적용하였습니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 생산실적

주1. 당사의 제조공정 중 핵심 공정은 MEMS 공정으로, MEMS 공정은 주요 4가지 공정이 반복적으로 진행되는 형태입니다. 또한 각 공정은 장비 구성이 상이하고 개별 장비별로 공정시간 등에 차이가 존재하여 처리할 수 있는 Capa도 상이합니다. 따라서 각 공정의 주요 장비 중 Capa가 가장 작은 장비 기준으로 전체 생산 능력을 산출하였으며, 생산 공정 중 약 30%는 연구개발용 공정으로 사용하고 있어 전체 Capa의 70%를 기준으로 생산 능력을 산출하였습니다.
주2. 2021년 생산능력은 공정개선 및 생산설비 확충으로 전년대비 20% 증가하였습니다.

나. 생산설비에 관한 사항

주1. 기초금액은 순자산 기준이며, 증가는 건설중인자산에서 대체된 금액까지 포함된 금액 기준입니다.

다. 설비투자계획

주1. 아산 신공장 생산을 위한 기계장치 투자 예정 금액입니다. 투자기간 및 투자금액은 변동 될 수 있습니다.

5. 매출에 관한 사항

가. 매출실적

주1. 수출 금액의 대부분이 원화로 결제됨에 따라 외화 금액은 해당사항 없습니다.

나. 판매경로 등

(1) 판매조직

당사의 주요 제품인 반도체 검사용 프로브 카드는 B2B 형태로 전량 주문 제작 방식으로 수주 받아 생산 후 공급되고 있고 당사의 영업은 영업개발본부의 영업/기획팀에서 담당하고 있습니다.

영업조직

(2) 판매경로

당사에서 생산되는 반도체 검사용 프로브 카드는 대부분 반도체 제조사로 공급하고 있으며 당사가 직접 수주하여 판매하는 형태입니다.

주1. 판매경로별 매출액은 2021년 1분기 매출액 기준입니다.

(3) 판매전략
① 3D MEMS 방식 12인치 DRAM용 프로브 카드 제조 기술을 기본으로 고객사의 제품 Road Map 에 따른 고집적, 고기능의 제품 포트폴리오 보유

- 주요 고객사의 Needs에 따른 제품 포트폴리오 확보로 빠른 기술변화 및 제품요구에 대한 신속적인 대처

② 해외 고객사를 통한 매출처 다변화 추구, 경쟁력 있는 Agent 발굴과 영업활동을 통해 해외 고객사를 통한 매출 다변화

- 해외 진출의 리스크를 최소화 하고 고객사의 요구에 적기 대응하고자 해외 판매 부분에 대해서는 Agent를 활용하고 있으며, Agent는 단순 영업활동 수행 역할에서 탈피하여 영업 뿐만 아니라 A/S 대응까지 가능한 업체를 지속적으로 발굴할 예정

- 국내에서 각 구성품을 생산하여 공급 후 현지에서 직접 조립하고 이를 고객사에 공급하며, 생산 과정 중에 발생하는 유지 보수에 대응하는 전략

③ 지속적인 연구개발 및 정부과제 수행을 통한 MEMS Application의 다양화 추구

- 당사는 고유 MEMS 기술을 기반으로 다양한 정부 과제를 수행하였으며 이를 기반으로 프로브 카드 이외에 다양한 Application으로 MEMS 기술의 응용

6. 수주 현황

당사의 제품은 반도체 제조사의 생산계획에 의한 주문 생산방식이며 단기 발주형식으로 이루어지고 있으나 거래처와의 상호 긴밀한 협력관계 구축에 따른 사전 개발단계에서 사전 생산량을 예측하고 있으며, 자재확보 및 생산계획 등을 통하여 적절하게 대응하고 있습니다.

7. 시장위험과 위험관리

가. 위험관리 정책

당사의 위험관리 정책은 당사가 직면한 위험을 식별 및 분석하고, 적절한 위험 한계치 및 통제를 설정하고, 위험이 한계치를 넘지 않도록 하기 위해 수립되었습니다. 위험관리정책과 시스템은 시장 상황과 당사의 활동의 변경을 반영하기 위해 정기적으로 검토되고 있습니다. 당사는 훈련 및 관리기준, 절차를 통해 모든 종업원들이 자신의 역할과 의무를 이해할 수 있는 엄격하고 구조적인 통제환경을 구축하는 것을 목표로 하고 있습니다.

나. 신용위험

신용위험이란 고객이나 거래상대방이 금융상품에 대한 계약상의 의무를 이행하지 않아 당사가 재무손실을 입을 위험을 의미합니다. 주로 거래처에 대한 매출채권에서 신용위험이 발생하나 현금및현금성자산을 비롯한 금융자산에서도 발생하고 있습니다. 다만, 금융기관의 경우 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다.  
금융자산의 장부금액은 신용위험에 대한 최대노출정도를 나타냅니다. 당기말과 전기말 등 현재 당사의 신용위험에 대한 최대 노출정도는 다음과 같습니다.

(주1) 매출채권 및 기타채권의 각 지역별 신용위험에 대한 최대 노출정도는 다음과 같습니다.

다. 유동성위험

유동성위험이란 당사가 금융부채에 관련된 의무를 충족하는데 어려움을 겪게 될 위험을 의미합니다. 당사의 유동성 관리방법은 재무적으로 어려운 상황에서 수용불가한 손실이 발생하거나, 당사의 평판에 손상이 발생하지 않도록 만기일에 부채를 상환할 수 있는 충분한 유동성을 유지하도록 하는 것입니다.

보고기간종료일 현재 당사가 보유한 금융부채의 계약상 만기는 다음과 같습니다.

라. 시장위험

시장위험이란 시장가격의 변동으로 인하여 금융상품의 공정가치나 미래현금흐름이 변동할 위험을 의미합니다. 시장가격 관리의 목적은 수익은 최적화하는 반면 수용가능한 한계 이내로 시장위험 노출을 관리 및 통제하는 것입니다. 시장위험은 이자율위험과 환위험으로 구성됩니다.

① 이자율위험

이자율위험은 시장이자율의 변동으로 인하여 금융상품의 공정가치가 변동할 위험입니다. 당사의 이자부 금융자산은 고정이자율로 확정되어 있어, 당사의 수익 및 영업현금흐름은 시장이자율의 변동으로부터 실질적으로 독립적입니다.  

② 환위험

당사의 기능통화 외의 통화로 표시되는 판매, 구매 및 차입에 대해 환위험에 노출되어 있습니다. 이러한 거래들이 표시되는 주된 통화는 USD, CNY 등입니다.  
보고기간종료일 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산ㆍ부채의 장부금액은 다음과 같습니다.  

보고기간 종료일 현재 다른 변수가 모두 동일하다고 가정할 경우, 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 법인세비용차감전순이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

마. 자본관리

당사의 자본관리는 건전한 자본구조의 유지를 통한 주주이익의 극대화를 목적으로 하고 있으며, 최적 자본구조 달성을 위해 부채비율, 차입금의존도(순차입금비율) 등의 재무비율을 매월 모니터링하여, 필요한 경우 적절한 재무구조 개선 방안을 실행하고 있습니다.
한편, 보고기간종료일 현재 당사의 부채비율은 다음과 같습니다.  

8. 파생상품 거래 현황

해당사항 없습니다.

9. 경영상의 주요계약 등

해당사항 없습니다.

10. 연구개발 활동

가. 연구개발 조직

나. 연구개발 비용현황

주1. 연구개발비용은 정부보조금을 차감하기 전의 지출총액으로 산정 하였습니다.

다. 연구개발실적

연구과제	연구기간	개발 결과 및 기대효과	상품화 내용
극초소형 기계시스템용 캔틸레버 빔 배열 기구개발	05.07.~ 07.03	마이크로센서에의 응용 관련 : -극초소형 기계시스템용 캔티레버 빔 배열기구는 마이크로센서의 감지부에 응용될 수 있음-이 기술은 마이크로 자이로스코프, 마이크로 엑셀로미터로 응용될 수 있으며, 향후 국내 전기자동차 보급과 더불어 수요가 있을 것으로 판단됨. 반도체 분야에의 응용 관련 : -비메모리용 Fine Pitch MEMS Probe Card에 응용함. -당사는 2년 동안의 본 과제를 통해 캔티레버 빔 배열구조가 fine(피치가 30마이크로 이하)피치를 갖도록 하여 극초소형 기계시스템 분야에서 광범위하게 상용화 될 수 있도록 하는 켄티레버 배열 구조를 개발함.	상용화 완료
MEMS 기술을 이용한 60 um급 협피치 connector 개발	07.11~ 09.10	- MEMS Microspring Connector는 구체적으로 메모리 또는 비메모리 웨이퍼 회로의 검사 프로브카드의 내부회로 Connector역할을 해주는 데 응용하고자 함. - 1차적으로 당사 생산중인 반도체 메모리, 비메모리 검사 MEMS 프로브 카드의 핵심부품으로 상용화 - 모바일 극초소형 소자 및 가전제품, 극 초소형 기계시스템 구현에 활용 가능	상용화 완료
MEMS 공정을 이용한 60 um급 이하 Fine Pitch용 300 mm Probe Card 상용화 개발	08.06 ~ 10.05	- 본 연구개발은 당사가 각종 개념설계와 공정개발을 거쳐 세계 최초로 다층 세라믹 회로 인쇄기판(Multi Layer Ceramic)상에 MEMS Probe Pin을 본딩을 하지않고 직접 형성시키는300mm MEMS Probe Card를 개발하여 상용화 성공함. - 연구개발 결과는 미국의 폼펙터, 일본의 MJC 와 경쟁할 수 있는 근간을 마련하였으며, 현재 수요처로 부터 인증을 득하고 현재 양산을 진행하고 있음.	상용화 완료
500MHz 이상 High Speed MEMS Probe Card 및 관련 소재 국산화	09.05 ~ 11.04	- 칩의 성능 및 신뢰성을 개선하기 위하여 메모리 테스트의 환경이 고주파수대로 이동함에 따라 수요처의 기술 진화에 부응하기 위해 하이스피드 프로브카드를 개발함. - 제작된 시제는 반도체메이커에 의해 성능평가가 수행되었으며 그 Speed는 800MHz로 150% 초과 달성하고 상용화 시기가 단축됨. - 국외업체에 의존하였던 세라믹 기판이 당사의 연구개발의 재료로 사용함으로 국산화 검증되어 상용화 됨	상용화 완료
600MHz 이상 High Speed CIS용 Multi Para Probing System 개발	12.11 ~ 13.10	- 600 MHz 이상 Test Speed 대응 가능한 고성능 회로 설계 기술을 포함한 CMOS 이미지 센서용 프로브 카드 개발 - 전기적 특성 Signal Integrity와 Power Integrity를 만족하는 프로브 카드 개발 - 수요처의 생산성 및 효율성을 높이기 위한 64Para 이상 급 CMOS 이미지 센서용 프로브 카드 개발 - 회로 구성 및 확장성 대응 Polyimide 배선 적층이 가능한 프로브 카드 개발 - 수요처 사용 중Test 품질 저하를 방지할 수 있는MEMS 구조물로 만들어진CMOS 이미지 센서용 프로브 카드 개발	상용화 완료
One Touch DRAM용 대용량 MEMS Probe Card 개발	14.10 ~ 17.10	- DRAM 웨이퍼 테스트를 위해 90,000-100,000 Probe가 생성된 16분기 Probe Card가 요구되는 상황에서, 기존의 회선(선폭100um)으로는 Probe Pin이 형성되는 세라믹 적층기판 제조의 한계가 발생됨. - 따라서 대량의 회선이 구현 가능하고(선폭 20um) 기판의 유전율 측면에서 유리한 Polyimide 적층기술의 응용이 필요함. - 당사는 기 확보된 Polyimide 적층기술을 기반으로 XDT Advanced Probe Card를 개발 완료함. - 웨이퍼 테스트 온도 환경(-40도~125도)에서의 핀 포지션의 변동 최소화, 웨이퍼 체인지 시, 핀 포지션의 최소화를 위해 세라믹기판내 열선을 내장하여, 세라믹 기판의 온도를 일정하게 유지시켜 줌. - XDT에는 520mm PCB가 사용되므로 그에 따른 평탄도, 각종 조립품의 열변형, 경량화에 초점을 맞추어 제품을 개발하고, 회선 길이의 증대에 따른 전기적특성 저하를 최소화 하기 위해 MWB(Multi Wire Board)를 적용함.	개발 완료
전기차 Battery Cooling Fan BLDC 모터 시스템 개발	10.11 ~  12.10	4	개발 완료 (국책 과제)
나노와이어 어레이-isFET를 이용한 전립선질환 진단키트 상용화	11.07 ~ 13.06	- 바이오 MEMS의 기술확보 목적 및 시도 - 가정에서 1차적으로 판별하는 저가 보급형 단일 전립선 질환 진단키트 - 3차원 나노와이어와 핵산마커를 이용한 전립선 질환 및 전립선 암 진단을 위한 진단키트 및 진단기 개발	개발 완료 (국책 과제)
스마트홈 및 빌딩구현을 위한 개방형 IoT 서비스 플랫폼 기반의 자율적 상황 판단 액츄에이터 개발	14.04 ~ 17.03	- 당사 Mechatronic 비즈니스로서 자동차向 BLDC모터 기술에서 파급된 연구개발 사업 및 상용화 모델임. 현재 IoT기반으로 사업모델을 기획하였음 - 본 연구개발에서 개발된 각종 기술은 미래 스마트 시티의 컨트롤타워 및 구동 어플리케이션으로 발전될 것임	개발 완료 (국책 과제)
100um 피치급 하이브리드 팬아웃 BGA 프로브 개발	15.06 ~ 18.05	- 당사는 개발된 각종 기술 및 양산/상용화 기술을 통해 국내외 시장에 경쟁력 있는 제품을 출시함으로 신상품 매출을 높이고, 파급효과로서 일부 획득기술을 기반으로 기존의 MEMS P/Card 매출을 증대 시킬 수 있는 효과를 가져올 수 있을 것으로 예상되며, 특히 기존 상품의 경우 세계 7위에서 3위까지 신장할 수 있는 기술 인프라가 구축될 것으로 판단됨.	개발 완료 (국책 과제)
고집적 시스템 반도체를 위한 50um 피치급 일체형(프로브/공간변환기) 버티컬 MEMS 프로브 카드 개발	17.07 ~ 19.12	- MEMS를 이용하면 프로브의 길이를 짧게 구현할 수 있어 좋은 전기적 특성을 얻을 수 있음. - 일체형 MEMS 프로브는 Wafer 스케일로 생산 가능해 프로브 개수에 제한이 없음. - 반도체 공정 기반의 일체형 MEMS 프로브는 50 um 이하의 지속적인 피치의 미세화에 효과적으로 대응 가능.	개발 완료 (국책 과제)
미세 Pitch TSV 및 FO Package Test를 위한 Probe Card 기술 개발	18.04 ~ 22.12	- Low Pin force/Cres Vertical MEMS Probe 제작 공정 개발 - 50um 피치 대응 vertical MEMS Probe 시제 구현 - Polyimide기반 STF구조 설계 및 6층 PI 배선 공정 개발 - 50um Pitch Vertical MEMS Probe 통합 설계 및 조립법 개발 - 50um Pitch vertical MEMS Probe card SI/PI 기반 설계법 개발	개발 진행 (국책 과제)
AP 프로브카드용 초정밀 고적층 MLO 기판 개발	20.04 ~ 24.12	- AP용 비메모리 반도체평가용 150mm급 초정밀 고적층 MLO 기판개발	개발 진행 (국책 과제)
반도체 프로브 카드 및 신뢰성 평가 장비 개발	20.12 ~ 23.11	- 반도체 프로브 카드 및 신뢰성 평가 장비 개발	개발 진행 (국책 과제)

11. 그 밖에 투자의사결정에 필요한 사항

가. 지적재산권

[지적재산권 요약]

[지적재산권 상세]

III. 재무에 관한 사항

1. 요약재무정보

본 재무제표는 한국채택국제회계기준에 의해 작성되었습니다.  당사의 제17기, 제16기, 제15기 재무제표는 외부감사인의 감사를 받은 재무제표입니다.

요약재무정보

2. 연결재무제표

해당사항 없습니다.

3. 연결재무제표 주석

해당사항 없습니다.

4. 재무제표

5. 재무제표 주석

1. 회사의 개요

주식회사 마이크로프랜드(이하 "당사"라 함)는 2004년 5월 반도체 검사관련 마이크로시스템 기술의 연구, 개발 및 제조를 영위할 목적으로 설립되었으며, 서울시 노원구 공릉로 232에 위치하고 있습니다. 당사의 설립시 자본금은 500백만원이었으며,수차례 유상증자를 거쳐 당기말 현재 자본금은 5,410백만원입니다. 당사는 2016년 12월 12일 한국 코스닥시장에 주식이 상장되었습니다.

한편, 당분기말 현재 주요 주주 현황은 다음과 같습니다.

2. 재무제표 작성기준 및 중요한 회계정책

2.1 재무제표 작성기준
당사의 재무제표는 '주식회사의 외부감사에 관한 법률'에 따라 제정된 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. 주석에서 별도로 기술하는 경우를 제외하고는 역사적원가를 기준으로 작성되었습니다.

2.2 회계정책의 변경
당사는 아래 사항을 제외하고는, 2020년 12월 31일로 종료하는 회계연도의 연차재무제표를 작성할 때에 적용한 것과 동일한 회계정책을 적용하고 있습니다.

2.3 공표되었으나 아직 시행되지 않은 회계기준

제정ㆍ공표되었으나 2021년1월1일 이후 시작하는 회계연도에 시행일이 도래하지 아니하였고, 당사가 조기 적용하지 아니한 제ㆍ개정 기준서 및 해석서는 다음과 같습니다.

(1) 기준서 제1001호 유동부채와 비유동부채의 분류 개정

보고기간말 현재 존재하는 실질적인 권리에 따라 유동 또는 비유동으로 분류되며, 부채의 결제를 연기할 수 있는 권리의 행사가능성이나 경영진의 기대는 고려하지 않습니다. 또한, 부채의 결제에 자기지분상품의 이전도 포함되나, 복합금융상품에서 자기지분상품으로 결제하는 옵션이 지분상품의 정의를 충족하여 부채와 분리하여 인식된 경우는 제외됩니다. 동 개정사항은 2023년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용하며, 조기적용이 허용됩니다. 당사는 동 개정으로 인한 재무제표의 영향을 검토 중에 있습니다.

(2) 기준서 제1103호 '개념체계'에 대한 참조 개정

인식할 자산과 부채의 정의를 개정된 재무보고를 위한 개념체계를 참조하도록 개정되었으나, 기준서 제1037호 '충당부채, 우발부채 및 우발자산' 및 해석서 제2121호 '부담금'의 적용범위에 포함되는 부채 및 우발부채에 대해서는 해당 기준서를 적용하도록 예외를 추가하고, 우발자산이 취득일에 인식되지 않는다는 점을 명확히 하였습니다. 동 개정사항은 2022년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용되며, 조기적용이 허용됩니다. 당사는 동 개정으로 인해 재무제표에 중요한 영향은 없을 것으로 예상하고 있습니다.

(3) 기준서 제1016호 '유형자산' 개정
기업이 자산을 의도한 방식으로 사용하기 전에 생산된 품목의 판매에서 발생하는 수익을 생산원가와 함께 당기손익으로 인식하도록 요구하며, 유형자산의 취득원가에서 차감하는 것을 금지하고 있습니다. 동 개정사항은 2022년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용되며, 조기적용이 허용됩니다. 당사는 동 개정으로 인한 재무제표의 영향을 검토 중에 있습니다.

(4) 기준서 제1037호 손실부담계약-계약이행원가 개정
손실부담계약을 식별할 때 계약이행원가의 범위를 계약 이행을 위한 증분원가와 계약 이행에 직접 관련되는 다른 원가의 배분이라는 점을 명확히 하였습니다. 동 개정사항은 2022년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용되며, 조기적용이 허용됩니다. 당사는 동 개정으로 인해 재무제표에 중요한 영향은 없을 것으로 예상하고 있습니다

(5) 한국채택국제회계기준 연차개선 2018-2020
한국채택국제회계기준 연차개선 2018-2020은 2022년 1월 1일 이후 시작하는 회계연도부터 적용되며, 조기적용이 허용됩니다. 당사는 동 개정으로 인해 재무제표에 중요한 영향은 없을 것으로 예상하고 있습니다.

- 기업회계기준서 제1101호 '한국채택국제회계기준의 최초 채택': 최초채택기업인 종속기업

- 기업회계기준서 제1109호 '금융상품': 금융부채 제거 목적의 10% 테스트 관련 수수료

- 기업회계기준서 제1116호 '리스': 리스 인센티브

- 기업회계기준서 제1041호 '농립어업': 공정가치 측정

2.4 중요한 회계적 판단, 추정 및 가정  
당사의 재무제표를 작성함에 있어 경영진은 회계정책 적용과 자산, 부채 및 수익, 비용에 영향을 미치는 판단, 추정 및 가정을 해야 합니다. 실제 결과는 이러한 추정치와다를 수 있습니다.

분기 재무제표 작성을 위해 당사의 회계정책의 적용과 추정 불확실성의 주요원천에 대해 경영진이 내린 중요한 판단은 2020년 12월 31일로 종료하는 회계연도에 대한 연차재무제표와 동일합니다.

3. 현금및현금성자산과 장ㆍ단기금융상품
3.1 당분기말과 전기말의 현금및현금성자산의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

3.2 당분기말과 전기말의 장ㆍ단기금융상품의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

(*1) 우리사주조합원의 한국증권금융으로부터의 차입에 대한 보증과 관련하여 담보로 제공(주석 26참조)되어 있습니다.

4. 매출채권및기타채권
4.1 당분기말과 전기말의 매출채권및기타채권의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

4.2 당분기말과 전기말의 매출채권및기타채권의 연령분석은 다음과 같습니다.  
 <당분기말>                                                                                         (단위: 원)

<전기말>                                                                                             (단위: 원)

당사가 연체되지도 않고 손상되지도 않은 매출채권 및 기타채권의 신용 건전성을 관리하고 측정하는 방법은 주석 24.2의 '신용위험'에서 기술하고 있습니다.

5. 기타금융자산
당분기말과 전기말의 기타금융자산의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

6. 기타자산
당분기말과 전기말의 기타자산의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

7. 재고자산  
당분기말과 전기말의 재고자산의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

한편, 당분기 중 매출원가로 인식한 재고자산평가손실은 1,087백만원(전기: 4,116백만원, 전기1분기: 1,189백만원)입니다.  

8. 유형자산    
8.1 당분기 및 전기 중 유형자산의 변동 내역은 다음과 같습니다.  
<당분기>                                                                                             (단위: 원)

(*1) 건설중인자산이 본계정으로 대체된 금액입니다.
(*2) 본 용도로 사용전인 건물 및 시설장치의 감가상각비는 영업외비용으로 계상하였습니다.

<전기>                                                                                                (단위: 원)

(*1) 건설중인자산이 본계정으로 대체된 금액입니다.
(*2) 본 용도로 사용전인 건물의 감가상각비는 영업외비용으로 계상하였습니다.

8.2 당분기말 현재 당사의 차입금과 관련하여 당사 소유의 토지와 건물을 담보로 제공하고 있으며(주석 26 참조), 당분기말 현재 토지 공시지가의 합계액은 3,495백만원입니다.

8.3 정부보조금
당사는 산업기술 혁신개발사업인 미세 Pitch TSV 및 FO Package Test를 위한 Probe Card 기술 개발 등과 관련하여 한국산업기술평가관리원과 개발협약을 체결하였습니다. 동 개발사업 등과 관련하여 정부보조금을 수령하였으며, 해당 사업이 성공하면수령한 정부보조금의 10%를 기술료로 상환의무가 있음에 따라, 해당 금액을 장기비유동금융부채(장기미지급금)로 계상하였습니다.  또한, 당사는 당사의 지방이전과 관련하여 아산시로부터 2018년에 보조금을 수령하였습니다.

9. 무형자산  
당분기와 전기 중 무형자산의 변동내역은 다음과 같습니다.  
<당분기>                                                                                             (단위: 원)

<전기>                                                                                                (단위: 원)

당분기와 전기 중 비용으로 인식한 경상연구개발비는 각각 661백만원과  2,164백만원이며 모두 판매비와관리비로 계상되었습니다.  

10. 매입채무및기타채무  
당분기말과 전기말의 매입채무및기타채무의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

11. 기타금융부채  
당분기말과 전기말의 기타금융부채의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

12. 기타유동부채  
당분기말과 전기말의 기타유동부채의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

13. 차입금  
13.1 당분기말과 전기말 현재 차입금의 내역은 다음과 같습니다.    
                                                                                                          (단위: 원)

13.2 당분기말과 전기말의 단기차입금의 내역은 다음과 같습니다.    
                                                                                                          (단위: 원)

14. 리스
14.1 리스약정에 따라 인식한 리스계약별 자산과 리스부채의 장부금액은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

14.2 당분기말 현재 리스계약에 의해 향후 지급할 최소리스료의 내역은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

한편, 당기 중 리스부채와 관련하여 발생한 원금 상환에 따른 현금유출액(재무활동)은 86,746천원(전기 330,037천원), 이자비용 현금유출액(영업활동)은 1,771천원(전기 8,923천원)으로 총 현금유출액은 88,157천원(전기 338,960천원)입니다.

14.3 당분기에 리스와 관련하여 포괄손익계산서에 인식된 내역은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

15. 충당부채  
당분기와  전기 중 충당부채 변동내역은 다음과 같습니다.  
<당분기>                                                                                             (단위: 원)

<전기>                                                                                                (단위: 원)

당사는 판매한 제품에 대한 품질보증으로 보고기간종료일 이후 발생할 것으로 예상되는 판매보증비에 충당하기 위하여 과거 제품보증비 발생 경험률을 기초로 하여 예상되는 추정액을 판매보증충당부채로 설정하고 있습니다.

16. 퇴직급여  
16.1 당분기와 전기 중 순확정급여부채와 관련하여 재무제표에 인식된 금액은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

16.2 당분기와 전분기 중 확정급여부채의 변동내역은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

16.3 당분기 및 전기 중 사외적립자산의 변동내역은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

16.4 사외적립자산은 다음 항목으로 구성됩니다.

                                                                                                         (단위: 원)

16.5 당사가 순확정급여부채를 산정하기 위해 적용한 주요한 가정은 다음과 같습니다.

16.6 당분기말 현재 유의적인 보험수리적 가정에 대한 민감도분석은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

17. 자본금과 자본잉여금
17.1 당분기말과 전기말의 자본금 내역은 다음과 같습니다.  

17.2 자본잉여금은 주식발행초과금으로 구성되어 있으며, 당분기와 전기 중 자본잉여금의 변동내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

18. 이익잉여금처분계산서  
당분기와 전기의 이익잉여금처분계산서는 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

19. 영업이익

19.1 판매비와관리비
당분기와 전분기 중 판매비와관리비의 내역은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

19.2 당분기와 전분기 중 발생한 매출원가 및 판매비와관리비를 성격별로 분류한 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

19.3 당분기와 전분기 중 발생한 종업원급여의 내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

20. 영업외손익
20.1 금융수익
                                                                                                          (단위: 원)

20.2 금융비용
                                                                                                          (단위: 원)

20.3 기타수익
                                                                                                          (단위: 원)

20.4 기타비용
                                                                                                          (단위: 원)

21. 법인세
21.1 당분기와 전분기 중 법인세비용의 주요 구성요소는 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

21.2 당분기와 전기 중 회계이익에 적용세율을 곱하여 산출한 금액과 법인세비용의 조정내역은 다음과 같습니다.  
                                                                                                          (단위: 원)

21.3 당분기와 전기 중 이연법인세의 변동내역은 다음과 같습니다.
<당분기>                                                                                             (단위: 원)

<전기>                                                                                                (단위: 원)

22. 주당이익  
기본주당이익의 계산에 사용된 이익 및 주식관련 정보는 다음과 같습니다.

22.1 기본주당손익

(*) 가중평균 유통보통주식수

23. 범주별 금융상품    
23.1 당분기말과 전기말 현재 금융자산의 범주별 분류내역은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)

23.2 당분기말과 전기말 현재 금융부채의 범주별 분류내역은 다음과 같습니다.
                                                                                                          (단위: 원)